选择快恢复二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。快恢复二极管的反向恢复时间为电流通过零点由正向转换成反向,再由反向转换到规定低值的时间间隔,实际上是释放快恢复二极管在正向导通期间向PN结的扩散电容中储存的电荷。反向恢复时间决定了快恢复二极管能在多高频率的连续脉冲下做开关使用,如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短,则快恢复二极管在正向、反向均可导通就起不到开关的作用。PN结中储存的电荷量与反向电压共同决定了反向恢复时间,而在高频脉冲下不但会使其损耗加重,也会引起较大的电磁干扰。所以知道快恢复二极管的反向恢复时间正确选择快恢复二极管和合理设计电路是必要的,选择快恢复二极管时应尽量选择PN结电容小、反向恢复时间短的,但大多数厂家都不提供该参数数据。MUR3040CTR是什么类型的管子?广东快恢复二极管MUR1060CA
二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前,行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结,然后在200度左右温度进行固化,保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)特性对比玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工艺由于结构的不同,当有外力产生时,冷热冲击,OJ工艺结构的二极管,由于保护胶和硅片不贴合,会产生漏气,导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管,可靠性很高,在150度的HTRB时,表现仍然很出色;而OJ工艺的产品能够承受100度左右的HT广东快恢复二极管MURB860MUR3060CD是什么类型的管子?
进行全部快恢复二极管一般地说用以较高频率的整流和续流。至于电源模块的输入部份,仿佛频率不高,无需用快恢复二极管,用一般而言二极管即可,但你要用它在电源电路中整流也是可以的。快恢复二极管分单管(一般而言两脚的)和对管(3脚的),对管内部涵盖两只快回复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。用它做全桥时,你得打算两只对管,一只共阴对管,一只共阳对管,而且电流要等于,所以你得测量一下拆下的管子究竟是共阴还是共阳,查查它们的相关参数如反向耐压、额定电流等。一般功放都是要求电源电流比起大的,所以你一定要查查原平常二极管的额定电流,看看变换的快恢复二极管是不是适于。至于它与一般而言桥堆相比之下,其在电源电路里所起的功用无明显优点。迅速回复整流二极管属于整流二极管中的高频整流二极管,之所以称其为迅速回复二极管,这是因为一般而言整流二极管一般工作于低频(如市电频率为50Hz),其工作频率低至3kHz。整流二极管(rectifierdiode)一种用以将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管主要的特点就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的阳极注入,阴极流出。一般而言它涵盖一个PN结。
二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前,行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结,然后在200度左右温度进行固化,保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)特性对比玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工艺由于结构的不同,当有外力产生时,冷热冲击,OJ工艺结构的二极管,由于保护胶和硅片不贴合,会产生漏气,导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管,可靠性很高,MUR1620CT二极管的主要参数。
FRED的其主要反向关断属性参数为:反向回复时trr=ta+tb(ta一少数载流子在存储时间,tb一少数载流子复合时间);反向回复峰值电流IRM;反向回复电荷Qrr=l/2trr×IRM以及表示器件反向回复曲线软度的软度因子S=tb/ta。而FRED的正向导通主要参数有:正向平均电流IF(AV);正向峰值电压UFM;正向均方根电流IF(RMS)以及正向(不反复)浪涌电流IFSM。FRED的反向阴断属性参数为:反向反复峰值电压URRM和反向反复峰值电流IRRM。须要指出:反向回复时间trr随着结温Tj的升高,所加反向电压URRM的增高以及流过的正向电流IF(AV)的增大而增长,而主要用来测算FRED的功耗和RC保护电路的反向回复峰值电流IRM和反向回复电荷Qrr亦随结温Tj的升高而增大。因此,在选用由FRED构成的“三相FRED整流桥开关模块”时,须要充分考虑这些参数的测试条件,以便作必需的调整。这里值得提出的是:目前FRED的价钱比一般而言整流二极管高,但由于用到FRED使变频器的噪声大幅度减低(减低达15dB),这将直接影响到变频器内EMI滤波电路的电容器和电感器的设计,使它们的尺码缩小和价钱大幅度下滑,并使变频器更能相符EMI规格的要求。此外,在变频器中,对充电限流电阻展开短接的开关,目前一般都使用机器接触器。快恢复二极管和普通整流二极管有那些不同?广东快恢复二极管MURB860
MUR1660CT二极管的主要参数。广东快恢复二极管MUR1060CA
快恢复二极管的总功率损耗与正向通态压降VF,通态电流IF,反向电压VR,反向漏电流IR,正向过冲电压Vfp,反向恢复漏电流峰值Irp。以及反向电流下降时间tb等有关。尽管如此,对于给定的快恢复二极管应用,通态电流和反向电压通常应用电路决定的,只要不超过额定使用条件即可。然而在给定的IF和VR条件下的VF,IR,Vrp,Irp和tb等二极管的特性却是由所使用的快恢复二极管本身的性能决定的。我们能通过算式5清楚地看到,上述任何一个参数的升高都将导致功率损耗的増加。相反地,如果我们能够降低其中的某些参数值,则可以降低功率损耗,在所有的功率损耗中,通态损耗所占比例,因此降低通态损耗是降低总功率损耗的主要路径和方法。而对于通态损耗来讲,正向电流由应用条件和额定决定,为恒定值,占空比也由应用条件决定,由算式1可以清楚地看到降低正向压降是降低功率损耗的主要途径。而正向压降正是快恢复二极管本身的性能能力决定的。所以选择低功耗二极管主要的要看在同等条件下的正向压降。压降越低的,其功耗也越低。广东快恢复二极管MUR1060CA