二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前,行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结,然后在200度左右温度进行固化,保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)特性对比玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工艺由于结构的不同,当有外力产生时,冷热冲击,OJ工艺结构的二极管,由于保护胶和硅片不贴合,会产生漏气,导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管,可靠性很高,MUR3060CT是快恢复二极管吗?江西快恢复二极管MURF3060CT
二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前,行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结,然后在200度左右温度进行固化,保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)特性对比玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工艺由于结构的不同,当有外力产生时,冷热冲击,OJ工艺结构的二极管,由于保护胶和硅片不贴合,会产生漏气,导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管,可靠性很高,在150度的HTRB时,表现仍然很出色;而OJ工艺的产品能够承受100度左右的HTR浙江快恢复二极管MUR2060CT开关电源中为什么要用快恢复二极管?
快恢复二极管是极有发展前景的电力、电子半导体器件。性能特点1)反向恢复时间反向恢复时间trr的概念是:电流通过零点由正向变换到规定低值的时间间距。它是衡量高频续流及整流器件性能的主要技术指标。IF为正向电流,IRM为反向回复电流。Irr为反向回复电流,当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压忽然变为反向电压,因此正向电流很快下降,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR日渐增大;在t=t2日子达到反向回复电流IRM值。此后受正向电压的效用,反向电流日趋减少,并在t=t3日子达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相像之处。2)快回复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部构造与平常二极管不同,它是在P型、N型硅材质中间增加了基区I,组成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向回复电荷很小,减少了trr值,还下降了瞬态正向压降,使管子能经受很高的反向工作电压。快回复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷更进一步减少,使其trr可低至几十纳秒。
选择快恢复二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。在快恢复二极管两端加反向电压时,其内部电场区域变宽,有较少的漂移电流通过PN结,形成我们所说的漏电流。漏电流也是评估快恢复二极管性能的重要参数,快恢复二极管漏电流过大不仅使其自身温升高,对于功率电路来说也会影响其效率,不同反向电压下的漏电流是不同的,关系如图4所示:反向电压愈大,漏电流越大,在常温下肖特基管的漏电流可忽略。其实对快恢复二极管漏电流影响的还是环境温度,下图5是在额定反压下测试的关系曲线,从中可以看出:温度越高,漏电流越大。在75℃后成直线上升,该点的漏电流是导致快恢复二极管外壳在额定电流下达到125℃的两大因素之一,只有通过降额反向电压和正向导通电流才能降低快恢复二极管的工作温度。MUR3020CA是什么类型的管子?
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管,有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。MUR3020CT是快恢复二极管吗?湖北快恢复二极管MURF1660CT
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在实际应用时,用到30V时,则trr约为35ns,而用到350V时,trr》35ns,trr还随着结湿上升而增加,Tj=125℃时的trr,约为25℃时的2倍左右。同时,trr还随着流过正向峰值电流IFM的増加而增加。IRM和Qrr主要是用来计算FRED的功耗和RC电路,但他们亦随结温的升高而増大。125℃结温时的Qrr是25℃时的约、而125℃结温时的Qrr是25℃时的近3倍以上。因此,在选用FRED时必须充分虑这些参数的测试条件、以便作必要的调整。因此,trr短,IRM小和S大的FRED模块是逆变电路中的二极管,而trr短和Qrr小的FRED,使逆变电路中的开关器件和二极管的损耗减少。FRED150A~1200V的外型尺寸见图4。图4FRED的外型尺寸4.快恢复二极管模块应用随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展,FRED作为一种高频器件也得到蓬勃发展,现已用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内,起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用,这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置以及功率因数校正装置等将起到推动作用。这些高效、节能、节电和节材。江西快恢复二极管MURF3060CT