激光位移传感器基本参数
  • 品牌
  • 创视智能
  • 型号
  • TS-P
  • 用途类型
  • 激光位移传感器
  • 工作原理
  • 激光式
  • 输出信号
  • 模拟型
  • 材质
  • 金属膜
  • 位移特征
  • 角位移
  • 测量范围
  • 小位移
  • 加工定制
  • 重复精度
  • 5
  • 线性精度
  • 0.02
  • 线性度
  • 0.02% of F.S.
  • 产地
  • 苏州
  • 数量
  • 100
  • 厂家
  • 苏州创视智能技术有限公司
激光位移传感器企业商机

如权利要求1所述的激光位移传感器检验校准装置,其特征在于:所述可伸缩导轨包括一电动伸缩双直线导轨、一number one支撑件、一第二支撑件、一滑动轮、一伸缩制动开关以及一控制面板;所述number one支撑件安装在所述电动伸缩双直线导轨固定端的底部,所述第二支撑件安装在所述电动伸缩双直线导轨可伸缩端的底部;所述滑动轮设于所述第二支撑件的底部;所述伸缩制动开关设于所述第二支撑件的侧面;所述控制面板与所述电动伸缩双直线导轨电连接。它还可以用于测量机械设备的振动情况,以提前发现故障。常州激光位移传感器源头直供厂家

常州激光位移传感器源头直供厂家,激光位移传感器

在采用方式2的情况下,可以在成像物镜前或成像物镜6后加入能够引入像散的光学元器件(如平板玻璃),配合调整成像物镜6与感光元件7之间的距离时,可以在微米量级进行调整。每次调整后,可以进行MTF解析,在判断解析结果满足上述条件时,停止调节。如果调整后发现解析结果不满足上述条件,则继续进行调整。此外,在图1所示的实施例中,反光元件8设置在接收物镜6和感光元件7之间,从而可以提高所述激光位移传感器的内部空间利用率,减小其外形尺寸。在所述激光位移传感器外形尺寸允许的情况下,反光元件8可省略。在测量光斑和成像物镜6之间的带通滤光片5被用来滤除或降低杂散光对测量系统的影响。佛山激光位移传感器的用途和特点它可以用于测量电子元件的尺寸和形状。

常州激光位移传感器源头直供厂家,激光位移传感器

所述电子测量仪22包括一电子千分表221以及一千分表夹持装置222,所述电子千分表221使得所述激光位移传感器4的检验精度极大提高;所述电子千分表221夹持在所述千分表夹持装置222上,所述千分表夹持装置222一端抵接于所述延伸部231,另一端抵接于所述横向蜗杆211上,当所述横向蜗杆211进行横向位移时,所述电子千分表221可以精确的测量位移量。所述传感器夹持装置3包括一纵向螺杆31以及一夹持器32;所述夹持器32套设在所述纵向螺杆31上,所述夹持器32可在所述纵向螺杆31上调节高度,所述激光位移传感器4夹持在所述夹持器32上。

成像物镜6和感光元件7组成的成像系统经调制传递函数进行解析后会得到解析结果MTFS和MTFT,其中MTFS为弧矢方向上的MTF值,MTFT是子午方向上的MTF值。[0043]在一个实施例中,如果感光元件的多个感光单元为沿着S方向(弧矢方向,可以将弧矢向定义为水平方向)排列,则在光学系统设计时,可以利用成像物镜6的像散拉高S方向(弧矢方向,可以将弧矢方向定义为水平方向)的MTF值,降低T方向MTF值。通过将成像系统的MTFS和MTFT设计为满足MTFS>MTFT,能够让呈现的光斑在子午方向上被拉长,在弧矢方向上被缩短。为什么要使用激光位移传感器呢?

常州激光位移传感器源头直供厂家,激光位移传感器

所述微调装置2包括一蜗轮蜗杆机构21、一电子测量仪22以及一微调平台23;所述微调平台23设于所述电动伸缩双直线导轨11上端的尾部,所述微调平台23的末端向上设有一延伸部231;所述蜗轮蜗杆机构21设于所述微调平台23的前端;所述电子测量仪22的一端抵接于所述延伸部231,另一端抵接于所述蜗轮蜗杆机构21。所述蜗轮蜗杆机构21包括一横向蜗杆211、一蜗轮(未图示)以及一位移调节把手212;所述横向蜗杆211的一端与所述激光红外线接收挡板5的背面固接,另一端与所述电子测量仪22抵接;所述位移调节把手212与所述蜗轮固接;当旋转所述位移调节把手212时通过所述蜗轮联动所述横向蜗杆211进行横向位移。这些传感器通常具有长寿命和较低的故障率,能够在恶劣的工作环境下正常运行。苏州激光位移传感器调试

高精度激光位移传感器可以用于测量材料的压缩和伸展性能。常州激光位移传感器源头直供厂家

激光位移传感器的测量精度容易受到被测物体表面特征的影响,为了减小测量误差,在整形镜设计中应尽量使出射光斑在有效的测量范围内实现光斑小且均匀。针对传感头小型化设计的要求,半导体激光器体积小、重量轻的优点正好符合这一要求,但其光束质量并不理想,需要对其进行光束整形。半导体激光器快慢轴的光束分布极不对称:快轴发散角较大,半角的典型值为30~40°,光束呈高斯分布,发光范围的半宽度为0.6~0.8μm,慢轴发散角的半角典型值为3~6°,光束分布不规则,发光范围半宽度为50~100μm。因此,在不允许能量损失的情况下,要求整形系统的物方数值孔径(NA)>0.573;但由于光束的快轴能量呈高斯分布,通常取半宽度(FWHM)为20°,此时NA=0.342。系统物距应尽量小一些,但考虑到工艺问题,不宜过小,选定为2.5mm。为了便于设计,将系统倒置,整个系统的主要要求为:工作波长为785±10nm,像方NA=0.342,像距l′=2.5mm,物距l=40~60mm,焦距f=3~4mm。常州激光位移传感器源头直供厂家

与激光位移传感器相关的**
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责