企业商机
快恢复二极管基本参数
  • 品牌
  • 国润,GR
  • 型号
  • MUR3040CT
  • 半导体材料
  • 管脚引出方式
  • 共阴极
  • 内部结构
  • 双管/对管
  • 封装方式
  • 塑料封装,环氧树脂封装
  • 正向电压降
  • 1.3
  • 最大反向工作电压
  • 400
  • 额定整流电流
  • 30
  • 外形尺寸
  • TO-220AB
快恢复二极管企业商机

   2)快恢复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装,主要技术指标见表1。几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。2.检测方法(1)测量反向恢复时间测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF,脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号。MUR1640CTR是什么类型的管子?快恢复二极管MUR2060CTR

   这一圈套起到了一定的限制效用,使电子不易抽走,而与空穴在此复合,从而延长了反向恢复时间中tb这一段,提高了迅速二极管的软度因子S。3.快速软恢复二极管模块通态特点显示,在额定电流下正向电压降不受温度影响,从而使它更适用于并联工作。在125℃时的动态损耗比标准化掺铂FRED减小50%。以上特点使得该软恢复二极管特别适宜工业应用。运用上述FRED二极管和SONIC二极管我们开发了迅速软恢复二极管模块,有绝缘型和非绝缘型二大类,绝缘型电流从40A~400A,电压达到1200V,绝缘电压大于2500V,反向回复时间很小为40ns;非绝缘型电流为200A(单管100A),电压从400V至1200V,反向回复时间根据用户要求,可从40ns至330ns。由于使用模块构造,寄生电感较小,并且预防了高频干扰电压和过电压尖峰。下面为200A绝缘型和非绝缘型迅速软恢复二极管模块外观和大小以及连接图。图6200A绝缘型快速软恢复二极管模块图7200A非绝缘型双塔结构超快速二极管模块4.迅速软恢复二极管及其模块的应用快速软恢复二极管的阻断电压范围宽,使它们能够作为开关电源(SMPS)的输出整流器,以及逆变器和焊接电源中的功率开关的保护二极管和续流二极管。TO247封装的快恢复二极管MURF2060CT二极管GPP和OJ哪种芯片工艺生产好?

  确保模块的出力。2)DBC基板:它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成,它有着优良的导热性、绝缘性和易焊性,并有与硅材质较相近的热线性膨胀系数(硅为4.2×10-6/℃,DBC为5.6×10-6/℃),因而可以与硅芯片直接焊接,从而简化模块焊接工艺和下降热阻。同时,DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形,以当作主电路端子和支配端子的焊接支架,并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘,使模块有着有效值为2.5kV以上的绝缘耐压。3)电力半导体芯片:超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护,并在模块制作过程中再涂有RTV硅橡胶,并灌封有弹性硅凝胶和环氧树脂,这种多层保护使电力半导体器件芯片的性能安定确实。半导体芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有经表面处置的钼片或直接用铝丝键协作为主电极的引出线,而部分连线是通过DBC板的刻蚀图形来实现的。根据三相整流桥电路共阳和共阴的连接特色,FRED芯片使用三片是正烧(即芯片正面是负极、反面是正极)和三片是反烧(即芯片正面是正极、反面是负极),并运用DBC基板的刻蚀图形,使焊接简化。同时,所有主电极的引出端子都焊在DBC基板上。

二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前,行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结,然后在200度左右温度进行固化,保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)特性对比玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工艺由于结构的不同,当有外力产生时,冷热冲击,OJ工艺结构的二极管,由于保护胶和硅片不贴合,会产生漏气,导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管,可靠性很高,在150度的HTRB时,表现仍然很出色;而OJ工艺的产品能够承受100度左右的HTMUR1660CT是什么类型的管子?

   快恢复二极管-ITO-220ACUF801F~UF810FVRM;100-1000V,IF;8A快恢复二极管-ITO-220ACSF1505F~SF1560FVRM;50-600V,IF;15A快恢复二极管-ITO-220ACSF1005CT~SF1060CTVRM;50-600V,IF;10A快恢复二极管-ITO-220ACMUR1001FCT~MUR1010FCTVRM;100-600V,IF;10A快恢复二极管-ITO-220ACMUR805~MUR8100VRM;50-1000V,IF;8A快恢复二极管-ITO-220ABUF1000FCT-UF1008FCTVRM;50-800V,IF;10A快恢复二极管-ITO-220ABSFF1605CT~SFF1660CTVRM;50-600V,IF;16A快恢复二极管-ITO-220ABSF2005FCT~SF2060FCTVRM;50-600V,IF;20A快恢复二极管-ITO-220ABMUR3005FCT~MUR3060FCTVRM;50-600V,IF;30A快恢复二极管-ITO-220ABMUR2005FCT~MUR2060FCTVRM;50-600V,IF;20A快恢复二极管-ITO-220ABMUR1605FCT~MUR1660FCTVRM;50-600V,IF;16A快恢复二极管-ITO-220ABMUR1005FCT~MUR1060FCTVRM;50-600V,IF;10A快恢复二极管-DO-41UF4001~UF4007VRRM;50-1000V,IF;快恢复二极管-DO-41SF11~SF18VRRM;50-1000V,IF;快恢复二极管-DO-41HER101G~HER108GVRRM;50-1000V,IF;快恢复二极管-DO-41HER101~HER108VRRM;50-1000V,IF;快恢复二极管-DO-41FR101G~FR107GVRRM;50-1000V,IF;快恢复二极管-DO-41FR101~FR107VRRM;50-1000V,IF。MURB1520是什么类型的管子?四川快恢复二极管MURB3040CT

MUR3020CS是什么类型的管子?快恢复二极管MUR2060CTR

   这种铜底板尚存在一定弧度的焊成品,当模块压装在散热器上时,能保证它们之间的充分接触,有利于热传导,从而使模块的接触热阻降低,有利于模块的出力和可靠性。(3)由于FRED模块工作于高频(20kHZ以上),因此,必须在结构设计要充分考虑消除寄生电感等问题,为此,在电磁等原理基础上,充分考虑三个主电极形状、布局和走向,同时对键合铝丝长短和走向也作了合适安排。以减少模块内部的分布电感,确保二单元的分布电感一致,从而解决模块的噪音和发热问题,提高装置效率。3.主要技术参数图3是FRED模块导通和关断期间的电流和电压波形图,它显示了FRED器件从正向导通到反向恢复的全过程。其主要关断特性参数为:反向恢复时间trr=ta+tb(ta为少数载流子存储时间,tb为少数载流子复合时间);软度因子S=(表示器件反向恢复曲线的软度);反向恢复峰值电流:;反向恢复电荷。而导通参数为:反向重复峰值电压URRM.;正向平均电流IF(AV);正向峰值电压UFM;正向均方根电流IF(RMS)和正向浪涌电流IFSM等。图2(a)预弯后的铜底板(b)铜底板与DBC基板焊接后的合格品图3FRED导通和关断期间的电流和电压波形图这里需要注意的是:trr随所加反向电压UR的增加而增加,例如600V的FRED。快恢复二极管MUR2060CTR

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