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高耐压线性充电管理与较少的外部元件数目使得XC3071 XC3101成为便携式应用的理想选择。 可以适合USB电源和适配器电源工作。由于采用了内部PMOSFET架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电电压固定4.2V，而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值 1/10 时， 将自动终止充电循环。当输入电压 （交流适配器或USB电源）被拿掉时， 自动进入一个低电流状态，将电池漏电流降至2uA 以下。也可将 置于停机模式，以而将供电电流降至45uA。 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。高压降压电源芯片用于便携式设备、移动设备、车载设备的电源变换。芯纳

DS2730 集成了 2 路高效 DC-DC 电压变换器和 CV/CC 补偿电路。结合外置的 NMOS 功率管，实现 2 路分离的 DC-DC 降压变换功能，支持 100%占空比输出和直通模式，并根据设备的插入/移除状态，控制放电通路的自动导通或关闭。在放电过程中，实时监测放电通路的输出电压、负载电流和系统温度。当有异常发生时，启动执行相应的保护机制。 内置的同步降压变换器，允许 5V~30V 的输入电压和 3.3V~20V 的输出电压，上限输出效率可达 98%（VIN=20V，VBUS=20V@5A）。XBGL6155MS电源管理IC上海芯龙支持 2-6 串电芯，极限100W 充电功率，支持 CC-CV 切换。

DS5036B上电接入电池时，显示全部点亮5S，在非充电状态，当电池电压过低触发低电关机，DS5036B会进入锁定状态。DS5036B为了降低静态功耗，在电池低电锁定状态下，DS5036B不支持负载插入检测功能，此时按键动作无法开启升降压输出，只能用于查看电量。DS5036B在锁定状态，必须要有充电动作芯片才能有功能。USBC1口或者USBC2有电源插入，优先启动充电。在单充电的模式下，支持自动识别电源的快充模式，匹配合适的充电电压和充电电流。

赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术，将控制IC与开关管集成于同一芯片，推出世界小的锂电池保护方案XB430X系列产品。该系列产品采用传统的N型开关管，与传统方案的负极保护原理一致，保护板厂商或电池厂商无需更换任何测试设备或理念。该系列芯片本身就是一个完整的锂电池保护方案，无需外接任何元器件即可实现锂电池保护的功能。为了防止Vcc线上的噪声，建议在使用XB430X系列芯片时在VCC和电池负端之间外接一个电容，如图5所示。锂保PCB应用注意事项-布局。

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。半桥电路功率管下管驱动。芯纳

LDO 输出，通过10μF 电容连接至参考地。芯纳

4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 5、过流保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当负载突然减小，IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 6、短路保护：在P+与P-上接上空负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)； IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。芯纳