四川快恢复二极管MUR1640CA

   继电器并联快恢复二极管电路形式见图1，其作用主要是为了保护晶体管等驱动元器件。流经线圈的电流变化时，线圈会产生自激电压来抑制电流的变化，当线圈中的电流变化越快时，所产生的电压越高。在继电器开通到关断的瞬间，由于线圈有电感的性质，所以瞬间会在继电器的线圈的低电压端产生一个瞬间电压尖峰,通常能高达数十倍的线圈额定工作电压。当图中晶体管VT由导通变为截止时，流经继电器线圈的电流将迅速减小，这时线圈会产生很高的自感电动势与电源电压叠加后加在VT的c、e两极间，会使晶体管击穿，并联上快恢复二极管后，即可将线圈的自感电动势钳位于快恢复二极管的正向导通电压，此值硅管约，锗管约，从而避免击穿晶体管等驱动元器件。并联快恢复二极管时一定要注意快恢复二极管的极性不可接反，否则容易损坏晶体管等驱动元器件。继电器线圈断电瞬间，线圈上可产生高于线圈额定工作电压值30倍以上的反峰电压，对电子线路有极大的危害，通常采用并联瞬态抑制（又叫削峰）快恢复二极管或电阻的方法加以抑制，使反峰电压不超过50V，但并联快恢复二极管会延长继电器的释放时间3~5倍。MUR860是快恢复二极管吗？四川快恢复二极管MUR1640CA

   2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，主要技术指标见表1。几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。2．检测方法（1）测量反向恢复时间测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号。四川快恢复二极管MURB1660CT快恢复二极管如何测好坏？

   在开机的瞬间，滤波电容的电压尚未建立，由于要对大电容充电．通过PFC电感的电流相对比较大。如果在电源开关接通的瞬间是在正弦波的最大值时，对电容充电的过程中PFC电感L有可能会出现磁饱和的情况，此时PFC电路工作就麻烦了，在磁饱和的情况，流过PFC开关管的电流就会失去限制，烧坏开关管。为防止悲剧发生，一种方法是对PFC电路工作的工作时序加以控制，即当对大电容的充电完成以后，再启动PFC电路：另一种比较简单的办法就是在PFC线圈到升压二极管上并联一只二极管旁路。启动的瞬间，给大电容的充电提供另一个支路，防止大电流流过PFC线圈造成饱和，过流损坏开关管，保护开关管，同时该保护二极管也分流了升压二极管上的电流，保护了升压二极管。另外，保护二极管的加入使得对大电容充电过程加快．其上的电压及时建立，也能使PFC电路的电压反馈环路及时工作，减小开机时PFC开关管的导通时间．使PFC电路尽快正常工作。‘所以，综上所述，以上电路中保护二极管的作用是在开机瞬间或负载短路、PFC输出电压低于输入电压的非正常状况下给电容提供充电路径，防止PFC电感磁饱和对PFCMOS管造成的危险，同时也减轻了PFC电感和升压二极管的负担，起到保护作用。在开机正常工作以后。

二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前，行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种：玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）。二极管的GPP工艺结构，其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化，冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体，无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构，其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结，然后在200度左右温度进行固化，保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）特性对比玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工艺由于结构的不同，当有外力产生时，冷热冲击，OJ工艺结构的二极管，由于保护胶和硅片不贴合，会产生漏气，导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管，可靠性很高，在150度的HTRB时，表现仍然很出色；而OJ工艺的产品能够承受100度左右的HTMURF3040CT是什么类型的管子？

   快恢复二极管的总功率损耗与正向通态压降VF，通态电流IF，反向电压VR,反向漏电流IR，正向过冲电压Vfp，反向恢复漏电流峰值Irp。以及反向电流下降时间tb等有关。尽管如此，对于给定的快恢复二极管应用，通态电流和反向电压通常应用电路决定的，只要不超过额定使用条件即可。然而在给定的IF和VR条件下的VF，IR，Vrp，Irp和tb等二极管的特性却是由所使用的快恢复二极管本身的性能决定的。我们能通过算式5清楚地看到，上述任何一个参数的升高都将导致功率损耗的増加。相反地，如果我们能够降低其中的某些参数值，则可以降低功率损耗，在所有的功率损耗中，通态损耗所占比例，因此降低通态损耗是降低总功率损耗的主要路径和方法。而对于通态损耗来讲，正向电流由应用条件和额定决定，为恒定值，占空比也由应用条件决定，由算式1可以清楚地看到降低正向压降是降低功率损耗的主要途径。而正向压降正是快恢复二极管本身的性能能力决定的。所以选择低功耗二极管主要的要看在同等条件下的正向压降。压降越低的，其功耗也越低。MUR1660CT是什么类型的管子？重庆快恢复二极管MUR3040CTR

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   在实际应用时，用到30V时，则trr约为35ns，而用到350V时，trr》35ns，trr还随着结湿上升而增加，Tj=125℃时的trr,约为25℃时的2倍左右。同时，trr还随着流过正向峰值电流IFM的増加而增加。IRM和Qrr主要是用来计算FRED的功耗和RC电路，但他们亦随结温的升高而増大。125℃结温时的Qrr是25℃时的约、而125℃结温时的Qrr是25℃时的近3倍以上。因此，在选用FRED时必须充分虑这些参数的测试条件、以便作必要的调整。因此，trr短，IRM小和S大的FRED模块是逆变电路中的二极管，而trr短和Qrr小的FRED，使逆变电路中的开关器件和二极管的损耗减少。FRED150A~1200V的外型尺寸见图4。图4FRED的外型尺寸4.快恢复二极管模块应用随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，FRED作为一种高频器件也得到蓬勃发展，现已用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用，这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置以及功率因数校正装置等将起到推动作用。这些高效、节能、节电和节材。四川快恢复二极管MUR1640CA