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ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。电流持续大于预设的过流阈值时，芯片自动关闭放电通路。XB6060M2S电源管理IC赛芯微代理

DS6036B集成NTC功能，可检测电池温度。DS6036B工作的时候，在NTC引脚产生一个恒流源，与外部NTC电阻来产生电压。芯片内部通过检测NTC引脚的电压来判断当前电池的温度。DS6036B刚刚接入电池时，显示全部点亮5s，在非充电状态，当电池电压过低触发低电关机，DS6036B会进入锁定状态。DS6036B为了降低静态功耗，在电池低电锁定状态下，DS6036B不支持负载插入检测功能，此时按键动作无法开启升降压输出，只能用于查看电量。DS6036B在锁定状态，必须要有充电动作才能使能芯片功能。XB3306BR电源管理ICLED线性驱动芯片手电筒驱动即使在大电流负载条件下，仍然可以实现很低的输出纹波。

2sA1、3PB3、3PC3、N802BT、3R0H18、0K18、XB6706U0z、XB6706U1F、XB6706U1m、XB6706U3P、XB6706U3R、6096J9X、6096J9c、6096J9j、6096J9j、6096J9r、6096J9m、6096J9o、6096J9r、6096J9t、XS5309C3a、3m1FAB、3e1EAB、2m1EAB、2e1EAB、2m1EAB、2V1EAE、2L1EAE、3T1FAA、2Z1EA、L3e1EA、B9u27、2n2DV、2f1Da、2g1Da、2g2Da、2g3Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、2sA1、3fAF、3mBF、0H18、0K18、3KAOC、XS5309C3a、XBaaA3n1、AL313、5891A3L1、3A6B5、3HAPB、3P1Ha

DS2730 的测温管脚 TS 集成了电流源，结合外部的温敏电阻（NTC），用于监测应用系统中关键元件的温度，并根据温度动态调整输出功率。实际应用中，NTC 热敏电阻通常置于 PCB 上发热元件附近，例如，芯片SW 开关节点、功率 MOS 或电感附近。选择不同阻值的 Rs 电阻，可以微调过温阈值。 内置 16-bit 的高精度 ADC 和 12-bit 的高速 ADC。高精度 ADC 用于检测精度要求高的信号（例如，负载电流），高速 ADC 用于检测响应速度要求高的信号（例如，输出电压），并配置了窗口比较功能，可以根据检测结果做出快速反应。电流采样，连接 USB-C口采样电阻的正端。

智浦芯联创建于苏州市工业园区内，企业主要从事模拟及数模混合集成电路设计，总部现已迁移至南京。深圳设立销售服务支持中心，宁波、中山、厦门设立办事处。公司具有国内的研发实力，南京、成都均设有研发中心，并与东南大学ASIC中心成为协作单位，在国内创先开发成功并量产了多款国家/省部级科技奖励和国家重点新产品认定产品，特别在高低压集成半导体技术方面，研发团队中有多名博士主持项目的开发。建立了科技创新和知识产权的规范体系，在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计等方面积累了众多技术。适用范围：适用于标称电压3.7V，充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好!XB4089电源管理IC芯纳科技

内置的同步降压变换器，支持极限1MHz 的开关频率和线补功能。XB6060M2S电源管理IC赛芯微代理

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