长沙化成分容电流传感器发展现状

为了降低直流分量对电能计量的影响及避免直流分量对交流电力设备造成损害，在 不影响交流测量精度的同时，能对直流分量进行监测，是智能配网对新一代电流测量设 备的新需求。中国电网公司在 2016 年 9 月，其运维检修部门组织编写了《10kV 一体化 柱上变电和配电一二次成套设备典型设计及检测规范》，提出适合我国配电网的一体化 配电成套设备的概念，而配网设备中一二次融合传感器技术是配网自动化设备的很重要的环 节之一，因此开展一二次融合下电流传感器技术研究迫在眉睫。锂电储能产业布局集中度不断提升。长沙化成分容电流传感器发展现状

除了上述环节，一次绕组WP由于电磁感应效应在反馈绕组WF上将产生感应电流，该过程输入信号为一次电流IP，输出信号为反馈绕组的激磁感抗jwLF上产生的感应电压。根据上述关系及图示电流参考方向，G5传递函数可表示为：G5=ZFNP=jwLFNP=jwμ0μeN2F(2Sc)NPNFNFlcNF此外系统的负反馈信号为反馈绕组WF在合成铁芯C12中产生的反向磁势，因此在图3－2中负反馈环节传递函数直接用反馈绕组匝数NF表示。根据电流传感器比例误差ε定义及式（3-12）可得：ε=N(N)P(F)I(I)P(S)一IP=1+G(N)1G2G3G4(FG4G5一)N(1)F（3－18）将式（3－13）至（3－17）带入上式进一步化简可得：ε=ZFNP一(RM+ZF)根100%RS1NP(1)（3－19）实际电路中一次绕组通常为单匝穿心导线，因此NP=1。福州工控级电流传感器发展现状功率分析仪还可以测量和分析其他与功率相关的参数，例如电压和电流的有效值、峰值、频率等。

新型交直流传感器的误差影响因素包括： 误差控制电路比例环 节比例系数 KPI 、积分环节的积分时间常数 τ1 、反馈绕组 WF  的复阻抗 ZF 、激磁绕组匝 数 N1、反馈绕组匝数 NF、终端测量电阻 RM 及采样电阻 RS1。通过减小终端测量电阻 RM   阻值， 降低激磁绕组匝数 N1 ，增大采样电阻 RS1  阻值， 及增大各个放大电路开环增益均 可降低新型交直流电流传感器的稳态误差。传统铁磁元件分析过程中常见的影响因素， 系统的磁性误差， 如外界电磁干扰、绕组绕线的不均匀性导致的漏磁通及铁磁元件本身 漏磁通的影响， 以及一次绕组偏心导致的一次绕组磁势不对称所带来的误差， 在系统建模中未以考虑。 另外， 系统的容性误差， 如绕组匝与匝之间的匝间电容， 不同绕组之间 的寄生电容， 在一定程度上对系统的误差也有影响。

将一次电流中的直流和交流分量分通道单独检测，研制了四铁芯六绕组交直 流电流比较仪，交流分量通过传统的交流比较仪方式进行检测，交流励磁检测信号经50 Hz 的带通滤波电路 A1 后输出至反馈绕组；直流分量通过自平衡式双铁芯磁调制器进行 检测，直流检测信号通过峰差解调电路对二次谐波信号解调，经过100 Hz带通滤波电路 A2  滤除低频及高频谐波信号后经信号放大器放大，然后输出至反馈绕组，反馈绕组产生的磁势与一次电流中直流磁势相抵消，从而构成零磁通闭环交直流测量系统。其研 究认为，系统中的交流比较仪与直流比较仪互不影响，可以实现交直流同时测量。该交 直流电流比较仪变比为 2000:1，测量稳态交流误差小于10ppm、稳态直流误差小于 100ppm。但是直流测量部分采用了传统的磁调制技术，其解调电路和铁芯结构复杂，成 本略高。加上双铁芯磁调制器存在虚假平衡点等问题，因此零点误差较大，在一定程度上限制了其使用和发展新型储能产业的发展情况正在不断改善和提升。

Ve为合成电压信号VR12经低通滤波后的误差电压信号。设计电路参数R1=R2，R4=R5。Q1为NPN型功率放大三极管，型号为TIP110，Q2为PNP型功率放大三极管，型号为TIP117。AB类功率放大输出端串接反馈绕组WF及终端测量电阻RM形成反馈闭环。反馈绕组匝数NF直接影响新型交直流传感器的比例系数，NF越大，交直流电流传感器灵敏度越低，线性区量程也越大，另外PA功率放大电路的输出电流能力也制约了反馈绕组匝数NF不能设计过小，但反馈绕组匝数NF过大，其漏感也越大，分布电容参数越大，系统磁性及容性误差将会增大。因此需要综合考虑灵敏度、功放带载能力及量程等要求，所设计反馈绕组匝数NF=1000。外部磁场的干扰就不会对测量结果产生明显的影响。因此，磁通门电流传感器的抗干扰能力得到了显著提高。芜湖功率分析仪电流传感器价格

磁通门电流传感器确实具有很强的抗干扰能力。这种抗干扰能力主要归功于它的激励磁场持续振荡的特性。长沙化成分容电流传感器发展现状

分流器：分流器是一种电阻型电流传感器，它通过将待测电流分流一部分来测量电流。分流器具有测量范围广、精度高、响应时间快等优点，适用于测量直流和脉冲电流。但是，分流器不适用于测量交流电流和变频电流。 巨磁阻效应（GMR）和巨磁阻抗效应（GMI）：这些是新型的磁电阻效应，具有很高的灵敏度和线性度。它们通常用于测量微弱磁场和电流，如磁通门和电流传感器的应用。 隧道效应：隧道效应是一种物理现象，当电子通过绝缘层时，会以一定的概率穿透绝缘层并传导电流。隧道电流传感器利用这个效应来测量电流。它们具有很高的灵敏度和线性度，适用于低电压、小电流的测量。长沙化成分容电流传感器发展现状