XB5806AE电源管理IC上海如韵

CN3125是具有恒流∕恒压功能的充电芯片，输入电压范围2.7V到6V，能够对单节或双节超级电容进行充电管理。CN3125内部有功率晶体管，不需要外部阻流二极管和电流检测电阻。CN3125只需要极少的外部元器件，非常适合于便携式应用的领域。 热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。 恒压充电电压由FB管脚的分压电阻设置，恒流充电电流由ISET管脚的电阻设置。CN3125内部有电容电压自动均衡电路，可以防止充电过程中电容过压。当输入电压掉电时，CN3125自动进入低功耗的睡眠模式，此时TOP管脚和MID管脚的电流消耗小于3微安。 其他功能包括芯片使能输入端，电源低电压检测和超级电容准备好状态输出等。 CN3125采用散热增强型的8管脚小外形封装(eSOP8)。电池充管理芯片磷酸铁锂。XB5806AE电源管理IC上海如韵

CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器，用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V，驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET)，LED电流通过外部电流检测电阻设置。 CN5815内部集成有基准电压源单元，误差放大器，330KHz振荡器，斜坡补偿发生器，电流模式PWM控制单元，电感过流保护电路，LED亮度调整单元，芯片关断单元，软启动电路和栅极驱动电路等模块。 CN5815采用电流模式PWM控制，改善了瞬态响应特性，简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。 其它功能包括芯片关断功能，过压保护，LED亮度调整，内置5V电压调制器和斜坡补偿等。 CN5815采用10管脚SSOP封装。XB6091I2SV电源管理IC拓微电子太阳能充电管理方案芯片。

锂电池PACK设计过程中锂电池保护IC是保护芯片的，首先取样电池电压，然后通过判断发出各种指令。MOS管：它主要起开关作用 2、保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极(这时MOS1被D1短路)，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。

图3： “二芯合一”的锂电池保护方案。 由于内部两个芯片实际仍来自于不同厂商，外形不能很好匹配，因此导致封装形状各异，很多情况下不能采用通用封装。这种封装体积比较大，又不能节省外置元件，所以这种“二芯合一”的方案实际上并省不了太多空间。在成本方面，虽然两个封装的成本缩减成一个封装的成本，但由于这个封装通常比较大，有的不是通用封装，有的为了缩小封装尺寸，需要用芯片叠加的封装形式，因此与传统的两个芯片的方案相比，其成本优势并不明显。 图4是一种真正的将控制器芯片及开关管芯片集成在同一晶圆的单芯片方案。传统方案原理图1中的开关管是N型管，接在图1中的B-与P-之间，俗称负极保护。 图4中的方案由于技术原因，开关管只能改为P型管，接在B+与P+之间，俗称正极保护。用此芯片完成保护板方案后，在检测保护板时用户需要更换测试设备及理念。此方案虽然减少了一定的封装成本，但芯片成本并没有得到减少，在与量大成熟的传统方案竞争时也没有真正的成本优势。相反其与传统方案不相容的正极保护理念成了其推广过程的巨大障碍。太阳能板供电的锂电池、磷酸铁锂电池充电管理芯片。

型号：XA3106关键字：同步升降压IC同时升压降压功能升压转换器印字：HXN-AA功能概述：XA3106是一款高效、固定频率的降压-升压DC/DC转换器，能在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下操作。从而成为输出电压处于电池电压范围内的单节锂离子电池、多节碱性电池或NiMH电池应用的理想选择。可利用一个外部电阻对高至1.5MHz的开关频率进行设置，并能使振荡器与外部时钟同步。静态电流300uA，因而大限度的延长了便携式应用中的电池使用寿命。该转换器的其他特点还包括电流1uA的停机模式、软起动控制、热停机和电流限值。XA3106采用热特性增强型10引脚MSOP封装。应用数码相机/无线电话两串两节保护、带均衡或者不带均衡。XBR5152QS电源管理IC赛芯微xysemi

正极保护IC、的锂电池保护方案。XB5806AE电源管理IC上海如韵

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XB5806AE电源管理IC上海如韵