用峰峰值法处理光谱数据时，被测光程差的分辨率取决于光谱仪或CCD的分辨率。我们只需要获取相邻的两个干涉峰值处的波长信息，即可确定光程差，不必关心此波长处的光强大小，从而降低了数据处理难度。此外，也可以利用多组相邻干涉光谱极值对应的波长分别求出光程差，然后再求平均值作为测量结果，以提高该方法的测量精度。但是，峰峰值法存在着一些缺点：当使用宽带光源时，不可避免地会有与光源同分布的背景光叠加在接收光谱中，从而引起峰值处波长的改变，从而引入测量误差。同时，当两干涉信号之间的光程差很小，导致其干涉光谱只有一个干涉峰时，此法便不再适用。Michelson干涉仪的光路长度是影响仪器精度的重要因素。微米级膜厚仪
自上世纪60年代起，利用X及β射线、近红外光源开发的在线薄膜测厚系统广泛应用于西方先进国家的工业生产线中。到20世纪70年代后，为满足日益增长的质检需求，电涡流、电磁电容、超声波、晶体振荡等多种膜厚测量技术相继问世。90年代中期，随着离子辅助、离子束溅射、磁控溅射、凝胶溶胶等新型薄膜制备技术取得巨大突破，以椭圆偏振法和光度法为展示的光学检测技术以高精度、低成本、轻便环保、高速稳固为研发方向不断迭代更新，迅速占领日用电器及工业生产市场，并发展出依据用户需求个性化定制产品的能力。其中，对于市场份额占比较大的微米级薄膜，除要求测量系统不仅具有百纳米级的测量准确度及分辨力以外，还要求测量系统在存在不规则环境干扰的工业现场下，具备较高的稳定性和抗干扰能力。国内膜厚仪厂家随着技术的进步和应用领域的拓展，白光干涉膜厚仪的性能和功能将不断提升和扩展。
利用包络线法计算薄膜的光学常数和厚度，但还存在很多不足，包络线法需要产生干涉波动，要求在测量波段内存在多个干涉极值点，且干涉极值点足够多，精度才高。理想的包络线是根据联合透射曲线的切点建立的，在没有正确方法建立包络线时，通常使用抛物线插值法建立，这样造成的误差较大。包络法对测量对象要求高，如果薄膜较薄或厚度不足情况下，会造成干涉条纹减少，干涉波峰个数较少，要利用干涉极值点建立包络线就越困难，且利用抛物线插值法拟合也很困难，从而降低该方法的准确度。其次，薄膜吸收的强弱也会影响该方法的准确度，对于吸收较强的薄膜，随干涉条纹减少，极大值与极小值包络线逐渐汇聚成一条曲线，该方法就不再适用。因此，包络法适用于膜层较厚且弱吸收的样品。
为了提高靶丸内爆压缩效率，需要确保靶丸所有几何参数和物性参数都符合理想的球对称状态，因此需要对靶丸壳层厚度分布进行精密检测。常用的测量手法有X射线显微辐照法、激光差动共焦法和白光干涉法等。白光干涉法是以白光作为光源，分成入射到参考镜和待测样品的两束光，在计算机管控下进行扫描和干涉信号分析，得到膜的厚度信息。该方法适用于靶丸壳层厚度的测量，但需要已知壳层材料的折射率，且难以实现靶丸壳层厚度分布的测量。白光干涉膜厚仪可以配合不同的软件进行分析和数据处理，例如建立数据库、统计数据等。
光纤白光干涉测量使用的是宽谱光源。在选择光源时，需要重点考虑光源的输出光功率和中心波长的稳定性。由于本文所设计的解调系统是通过测量干涉峰值的中心波长移动来实现的，因此光源中心波长的稳定性对实验结果会产生很大的影响。实验中我们选择使用由INPHENIX公司生产的SLED光源，相对于一般的宽带光源具有输出功率高、覆盖光谱范围宽等优点。该光源采用+5V的直流供电，标定中心波长为1550nm，且其输出功率在一定范围内可调。驱动电流可以达到600mA。膜厚仪依赖于膜层和底部材料的反射率和相位差来实现这一目的。微米级膜厚仪应用
白光干涉膜厚仪需要校准。微米级膜厚仪
莫侯伊膜厚仪在半导体行业中具有重要的应用价值膜厚仪的测量原理主要基于光学干涉原理。当光波穿过薄膜时，会发生干涉现象，根据干涉条纹的变化可以推导出薄膜的厚度。利用这一原理，通过测量干涉条纹的间距或相位差来计算薄膜的厚度。膜厚仪通常包括光源、光路系统、检测器和数据处理系统等部件，能够实现对薄膜厚度的高精度测量。在半导体行业中，薄膜的具体测量方法主要包括椭偏仪法、X射线衍射法和原子力显微镜法等。椭偏仪法是一种常用的薄膜测量方法，它利用薄膜对椭偏光的旋转角度来计算薄膜的厚度。X射线衍射法则是通过测量衍射光的角度和强度来确定薄膜的厚度和结晶结构。原子力显微镜法则是通过探针与薄膜表面的相互作用来获取表面形貌和厚度信息。这些方法各有特点，可以根据具体的测量要求选择合适的方法进行薄膜厚度测量。薄膜的厚度对于半导体器件的性能和稳定性具有重要影响，因此膜厚仪的测量原理和具体测量方法在半导体行业中具有重要意义。随着半导体工艺的不断发展，对薄膜厚度的要求也越来越高，膜厚仪的研究和应用将继续成为半导体行业中的热点领域。微米级膜厚仪
