企业商机
快恢复二极管基本参数
  • 品牌
  • 国润,GR
  • 型号
  • MUR3040CT
  • 半导体材料
  • 管脚引出方式
  • 共阴极
  • 内部结构
  • 双管/对管
  • 封装方式
  • 塑料封装,环氧树脂封装
  • 正向电压降
  • 1.3
  • 最大反向工作电压
  • 400
  • 额定整流电流
  • 30
  • 外形尺寸
  • TO-220AB
快恢复二极管企业商机

二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前,行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结,然后在200度左右温度进行固化,保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)特性对比玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工艺由于结构的不同,当有外力产生时,冷热冲击,OJ工艺结构的二极管,由于保护胶和硅片不贴合,会产生漏气,导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管,可靠性很高,在150度的HTRB时,表现仍然很出色;而OJ工艺的产品能够承受100度左右的HTRB。MUR1660CT二极管的主要参数。上海快恢复二极管MURB1660

    20世纪80年代初,绝缘栅双极晶体管(IGBT)和功率M0S场效应管(P0WERM0SFET)的研制成功,并得到急剧发展和商业化,这不仅对电力电子逆变器向高频化发展提供了坚实的器件基础,同时,为用电设备高频化(20kHz以上)和高频设备固态化,为高效、节电、节材,实现机电体化,小型轻量化和智能化提供了重要的技术基础。与此同时,给IGBT,功率MOSFET等高频逆变装置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的发展。因为,随着装置工作开关频率的提高,若没有FRED给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离输出整流器和输入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等开关器件就不能发挥它们的功能和独特作用,这是由于FRED的关断特性参数(反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr,反向峰值电流IRM)的作用所致,合适参数的FRED与高频开关器件的协调工作。使高频逆变电路内因开关器件换相所引起的过电压尖峰,高频干扰电压以及EMI降低,使开关器件的功能得到充分发挥,FRED模块现已批量在大功率开关电源、高频逆变电焊机、高频逆变开关型电镀电源、高频快速充电器以及高频调速装置等场合使用,结果非常令人满意。本文将简要介绍该FRED模块的工艺结构,技术参数。上海快恢复二极管MURB1660MURB1560是什么类型的管子?

    快恢复二极管的总功率损耗与正向通态压降VF,通态电流IF,反向电压VR,反向漏电流IR,正向过冲电压Vfp,反向恢复漏电流峰值Irp。以及反向电流下降时间tb等有关。尽管如此,对于给定的快恢复二极管应用,通态电流和反向电压通常应用电路决定的,只要不超过额定使用条件即可。然而在给定的IF和VR条件下的VF,IR,Vrp,Irp和tb等二极管的特性却是由所使用的快恢复二极管本身的性能决定的。我们能通过算式5清楚地看到,上述任何一个参数的升高都将导致功率损耗的増加。相反地,如果我们能够降低其中的某些参数值,则可以降低功率损耗,在所有的功率损耗中,通态损耗所占比例,因此降低通态损耗是降低总功率损耗的主要路径和方法。而对于通态损耗来讲,正向电流由应用条件和额定决定,为恒定值,占空比也由应用条件决定,由算式1可以清楚地看到降低正向压降是降低功率损耗的主要途径。而正向压降正是快恢复二极管本身的性能能力决定的。所以选择低功耗二极管主要的要看在同等条件下的正向压降。压降越低的,其功耗也越低。

快恢复二极管MURB1660在逆变器中得到了普遍的应用,如1500W的逆变器。MURB1660快恢复二极管的封装为TO-263-2L,它的电性参数如下:内置一颗130MIL、正向平均导通电流16A、反向耐压600V、正向导通压降1.8V、反向恢复时间50ns的快恢复二极管晶片。比如,在1500W的逆变器中,快恢复二极管MURB660作为整流二极管使用,具有抗浪涌能力强、温度高达175度、反向耐压高,反向恢复时间快等优点。因此适应更高开关频率的应用需求。和肖特基二极管相比,快恢复二极管更适合在超过200V反向耐压领域中使用。MUR1660CA是什么类型的管子?

缓冲电路的形式很多,如图1所示的电路是基本的也是行之有效的一种缓冲保护电路。缓冲电路由电感LS、电容CS、电阻RS和二极管VDS组成。其中LS是串联电感。用来限制晶体管VT开通时的电流上升率,由CS、RS、VDS构成并联缓冲电路,主要用来在VT关断时限制集电极电压Uce上升率,使大功率晶体管的工作点轨迹远离安全工作区的为界。当晶体管VT开通时,直流电动机由电源经晶体管供电,其左端为正,右端为负,电动机正向旋转;当晶体管VT关断时,由于电枢电感的影响,电枢电流不能突变,电动机将产生感生电动势,其左端为负,右端为正,如果没有续流二极管VD,此电动势将与电源电压US相加,一起加在晶体管VT的C、E两端,而整个回路的电阻很大,因此晶体管两端的端电压Uce也很高。晶体管必然被击穿。当电路并联有续流二极管VD(如图1所示),在晶体管VT导通时,二极管VD左端为止,右端为负,VD截止;当晶体管截止时。电动机产生感生电动势。左负右正,VD正向导通,给电动机提供--个续流回路,不但可以保护晶体管,同时让电动机电流连续、转矩稳定。快恢复二极管可以在电脉冲火花机上使用吗?重庆快恢复二极管SF168CTD

MUR3020PD是什么类型的管子?上海快恢复二极管MURB1660

快恢复二极管MUR1560在电动车充电器中得到了普遍的应用,如电动车充电器领域用的72V充电器等。MUR1560快恢复二极管的电性参数如下:内置一颗130MIL、正向平均导通电流15A、反向耐压600V、正向导通压降1.75V、反向恢复时间50ns的快恢复二极管晶片。比如,在电动车充电器中,快恢复二极管MUR1560作为72V输出的整流二极管使用,具有抗浪涌能力强、温度高达175度、反向耐压高,反向恢复时间快等优点。因此适应更高开关频率的应用需求。一般肖特基二极管在低压类电源中使用非常普遍,这是因为肖特基二极管的反向耐压较低的原因,一般不大于200V,在高于200V的应用中一般就使用快恢复二极管了。上海快恢复二极管MURB1660

与快恢复二极管相关的文章
滁州安装线束电话 信息推荐「希飞供」 2021-03-15

LVDS 连接线介绍:LVDS即低压差分信号传输线(Low Voltage Differential Signal),是一种满足当今高性能数据传输应用的新型技术。与其它竞争技术相比,LVDS线在提供高数据速率时的功耗要小得多,采用LVDS线技术的产品数据速率可以从数百Mbps到2Gbps以上。它已经广泛应用在许多要求速度与低功耗的液晶显示屏等。常规的汽车线束产品具耐热、耐油性、耐冷等特性;同时它富有柔软性。用于汽车内部联接,能适应高机械强度,高温环境中使用-上海希飞电子。 RCA俗称莲花插座,又叫AV端子,也称AV 接口。滁州安装线束电话线束是用来连接两个或更多有元器件的线材,传输...

与快恢复二极管相关的问题
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责