XB5358D0电源管理IC二合一锂电保护

磷酸铁锂电池的使用，一些产品对电池容量的需求不断提升，就需要串联多个锂电池，从而导致电池的总电压升高，于是就催生出了锂电池充电管理芯片。为了防止锂电池在过充电、过放电、过电流等异常状态影响电池寿命，通常要通过锂电池保护装置来防止异常状态对电池的损坏。 磷酸铁锂电池充电管理芯片介绍 磷酸铁锂电池特性较为活泼，对电压电流要求较高，所以需要锂电池管理芯片。磷酸铁锂电池管理芯片就是设计用于保护电池的电路，可以保护电池过放电，过压，过充，过温，可以有效保护锂电池寿命和使用者的安全。 锂电池的使用，一些产品对电池容量的需求不断提升，就需要串联多个锂电池，从而导致电池的总电压升高，于是就催生出了磷酸铁锂电池充电管理芯片，它会根据磷酸铁锂电池的特性自动进行预充、恒流充电、恒压充电。 磷酸铁锂电池充电管理芯片的类型主要包括电源管理信号链音频功放MEMS传感器等应用于汽车电子、工业控制家用电器安防监控仪器仪表等。XB5358D0电源管理IC二合一锂电保护

是一款集成降压变化器，锂电池充电管理，电池电量指示的多功能电源管理SOC，为USB充干电池提供完整的电源解决方案。 XS5301 XS5306 XS5502充电电流和充电电压可调，支持多种规格锂电池应用，充电电流1A.ZCC5600充电电压和电流根据锂电池温度自动调节，更加安全可靠。放电输出1.5V固定电压，高效率高达93%.待机电流低至3uA以内，支持锂电池长时间待机。·充电电流和充电电压外部电阻调节 支持4.2/4.3/4.35/4.4V锂电池充电充电电流400mA-1000mA可调XB3306IFK电源管理IC两串两节保护太阳能板供电的锂电池、磷酸铁锂电池充电管理芯片。

4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 5、过流保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当负载突然减小，IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 6、短路保护：在P+与P-上接上空负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)； IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。

XA2320 XA3200 XA2320B XA2320C 电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关（FET或二极管）使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关（二极管）构成，节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电，所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时，经常使用时钟信号（DC/DC的开关节点等）和二极管的二极管电荷泵。在此，介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关（FET或二极管）使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关（二极管）构成，节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电，所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时，经常使用时钟信号（DC/DC的开关节点等）和二极管的二极管电荷泵。在此，介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。XySemi 锂电保护板生产操作注意事项1。

赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术，将控制IC与开关管集成于同一芯片，推出世界小的锂电池保护方案XB430X系列产品。该系列产品采用传统的N型开关管，与传统方案的负极保护原理一致，保护板厂商或电池厂商无需更换任何测试设备或理念。该系列芯片本身就是一个完整的锂电池保护方案，无需外接任何元器件即可实现锂电池保护的功能。为了防止Vcc线上的噪声，建议在使用XB430X系列芯片时在VCC和电池负端之间外接一个电容，如图5所示。锂电池充放电管理 （输入5V输出1.5V）锂电转干电池充放电管理芯片。XB6166IS电源管理IC拓微电子

40V耐压、高PSRR,LDO，完全没凸波。XB5358D0电源管理IC二合一锂电保护

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XB5358D0电源管理IC二合一锂电保护