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上面的“二芯合一”方案及单芯片正极保护方案虽然在方案面积及成本上给用户带来了一定的优势，但优势仍不明显。这些方案同时又带来了一些弊端，因此在与成熟的传统方案竞争客户的过程中，还是只能以降低毛利空间来打价格战。由于这些方案的真正原始成本并没有明显的优势，所以随着传统方案的控制IC及开关管芯片的降价，这些“二芯合一”的方案或正极保护方案并没有能够撼动传统方案的市场统治地位。 BP5301 BP6501；近年来市面上出现了众多新创的开关管芯片厂商，为了降低成本，封装时原本打金线改成打铜线，开关管也不带ESD保护。这些产品虽然在性能上与品牌开关管相比有一定的差异，但因为成本优势很快抢占了二级市场，也为传统方案在与“二芯合一”及正极保护方案在市场竞争中的胜出作出了巨大贡献。锂电转干电池充放电管理芯片。XR2682电源管理ICNTC充电管理

锂电池PACK设计过程中锂电池保护IC是保护芯片的，首先取样电池电压，然后通过判断发出各种指令。MOS管：它主要起开关作用 2、保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极(这时MOS1被D1短路)，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。 XM5021R18电源管理IC二合一锂电保护带电池正负极反接保护的充电管理。

主要参数：针对磷酸铁锂电芯，充电电压3.6V，充电电流可达900mA，耐压30V，OVP=6.8V，采用ESOP8封装。 概述 XC3098VYP是一款完整的恒流恒压线性充电芯片。 r f 或单节锂离子电池。其 ESOP 8 封装和低外部元件数量使 XC3098VYP 非常适合便携式应用。此外，XC3098VYP 专门设计用于在 USB 电源规格范围内工作。需要一个外部检测电阻，并且由于内部 MOSFET 架构而无需阻塞二极管。充电电压固定为 3.6V，充电电流可通过单个电阻器进行外部编程。当达到浮动电压后充电电流降至编程值的 1/10 时，XC3098VYP 自动终止充电周期。当输入电源（墙上适配器或 USB 电源）被移除时，XC3098VYP 系列自动进入低电流状态，将电池漏电流降至 2uA 以下。

磷酸铁锂电池的使用，一些产品对电池容量的需求不断提升，就需要串联多个锂电池，从而导致电池的总电压升高，于是就催生出了锂电池充电管理芯片。为了防止锂电池在过充电、过放电、过电流等异常状态影响电池寿命，通常要通过锂电池保护装置来防止异常状态对电池的损坏。 磷酸铁锂电池充电管理芯片介绍 磷酸铁锂电池特性较为活泼，对电压电流要求较高，所以需要锂电池管理芯片。磷酸铁锂电池管理芯片就是设计用于保护电池的电路，可以保护电池过放电，过压，过充，过温，可以有效保护锂电池寿命和使用者的安全。 锂电池的使用，一些产品对电池容量的需求不断提升，就需要串联多个锂电池，从而导致电池的总电压升高，于是就催生出了磷酸铁锂电池充电管理芯片，它会根据磷酸铁锂电池的特性自动进行预充、恒流充电、恒压充电。 磷酸铁锂电池充电管理芯片的类型高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片，具有功能全、集成度高，外部电路简单，调节方便。

XS5502 XS5301 XS5306 XS5802 为什么有3.7V锂电池转1.5V干电池的产品应用呢？ 首先锂电池（三元为例）的标准电压为3.7V（3.6V-4.2V），单纯做成5号、7号标准尺寸是可以，但问题在于电池的电压不能符合常规的1.5V干电池应用。摇控器，玩具，赛车等等各种电子数量使用的启动电压为1.5V，锂电池要做成常规干电池的话就得做降压功能，降至1.5V 。 锂电池有什么特点呢？锂电轻重量轻；锂电池是可以循环使用（根据电芯的不同品质可达400-1000次）不等的，使用成本更低。锂电池的特性更加稳定；锂电相比碱性电池污染小，且回收渠道更加多元化；锂电池可以加电子功能，可以实现多元化的应用：带USB头、电量提醒，充电功能等等；当然缺点也明显：目前锂电池的成本比常规碱性电池更高，售价是碱性的几倍， XC3098(磷酸铁锂充电芯片）。磷酸铁锂离子电池充电管理芯片

正极保护的锂电池保护方案。XR2682电源管理ICNTC充电管理

CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器，用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V，驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET)，LED电流通过外部电流检测电阻设置。 CN5815内部集成有基准电压源单元，误差放大器，330KHz振荡器，斜坡补偿发生器，电流模式PWM控制单元，电感过流保护电路，LED亮度调整单元，芯片关断单元，软启动电路和栅极驱动电路等模块。 CN5815采用电流模式PWM控制，改善了瞬态响应特性，简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。 其它功能包括芯片关断功能，过压保护，LED亮度调整，内置5V电压调制器和斜坡补偿等。 CN5815采用10管脚SSOP封装。XR2682电源管理ICNTC充电管理