企业商机
快恢复二极管基本参数
  • 品牌
  • 国润,GR
  • 型号
  • MUR3040CT
  • 半导体材料
  • 管脚引出方式
  • 共阴极
  • 内部结构
  • 双管/对管
  • 封装方式
  • 塑料封装,环氧树脂封装
  • 正向电压降
  • 1.3
  • 最大反向工作电压
  • 400
  • 额定整流电流
  • 30
  • 外形尺寸
  • TO-220AB
快恢复二极管企业商机

快恢复二极管是一种半导体器件,用于高频整流时具有短的反向恢复时间。快速恢复时间对于高频交流信号的整流至关重要。由于具有超高的开关速度,二极管主要用于整流器中。 传统二极管的主要问题是具有相当长的恢复时间。因此,传统二极管无法进行高频整流。 快恢复二极管的结构与普通二极管相似。这些二极管与传统二极管的结构主要区别在于存在复合中心。在快恢复二极管中,将金(Au)添加到半导体材料中。这会增加复合中心的数量,从而降低载流子的寿命(τ)。MUR3060CT是什么类型的管子?江苏快恢复二极管MURB860

    选择快恢复二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。在快恢复二极管两端加反向电压时,其内部电场区域变宽,有较少的漂移电流通过PN结,形成我们所说的漏电流。漏电流也是评估快恢复二极管性能的重要参数,快恢复二极管漏电流过大不仅使其自身温升高,对于功率电路来说也会影响其效率,不同反向电压下的漏电流是不同的,关系如图4所示:反向电压愈大,漏电流越大,在常温下肖特基管的漏电流可忽略。其实对快恢复二极管漏电流影响的还是环境温度,下图5是在额定反压下测试的关系曲线,从中可以看出:温度越高,漏电流越大。在75℃后成直线上升,该点的漏电流是导致快恢复二极管外壳在额定电流下达到125℃的两大因素之一,只有通过降额反向电压和正向导通电流才能降低快恢复二极管的工作温度。 四川快恢复二极管MURB1660CTMUR2060CS是什么类型的管子?

    快恢复二极管FRD(FastRecoveryDiode)是近年来问世的新型半导体器件,具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD(SuperfastRecoveryDiode),则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可用于开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电动机变频调速(VVVF)、高频加热等装置中,作高频、大电流的续流二极管或整流管,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。1.性能特点(1)反向恢复时间反向恢复时间tr的定义是:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为反向恢复电流。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。。

快恢复二极管的反向恢复时间(trr)的定义:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。快恢复二极管如何测好坏?

    缓冲电路的形式很多,如图1所示的电路是基本的也是行之有效的一种缓冲保护电路。缓冲电路由电感LS、电容CS、电阻RS和二极管VDS组成。其中LS是串联电感。用来限制晶体管VT开通时的电流上升率,由CS、RS、VDS构成并联缓冲电路,主要用来在VT关断时限制集电极电压Uce上升率,使大功率晶体管的工作点轨迹远离安全工作区的为界。当晶体管VT开通时,直流电动机由电源经晶体管供电,其左端为正,右端为负,电动机正向旋转;当晶体管VT关断时,由于电枢电感的影响,电枢电流不能突变,电动机将产生感生电动势,其左端为负,右端为正,如果没有续流二极管VD,此电动势将与电源电压US相加,一起加在晶体管VT的C、E两端,而整个回路的电阻很大,因此晶体管两端的端电压Uce也很高。晶体管必然被击穿。当电路并联有续流二极管VD(如图1所示),在晶体管VT导通时,二极管VD左端为止,右端为负,VD截止;当晶体管截止时。电动机产生感生电动势。左负右正,VD正向导通,给电动机提供--个续流回路,不但可以保护晶体管,同时让电动机电流连续、转矩稳定。 二极管GPP和OJ哪种芯片工艺生产好?江苏快恢复二极管MURB860

整流快恢复二极管缓冲吸收电路有哪些?江苏快恢复二极管MURB860

    迅速软恢复二极管模块化技术与应用著者:海飞乐技术时间:2018-05-2320:43摘要在高频应用中为了减小电路损耗和防范过电压尖峰对器件的损坏,需迅速软恢复二极管。硬开关过程中存在二极管反向回复电流(Irm)增加了开关器件开通损耗率和过电压尖峰,并且在迅速di/dt开关时能够产生电磁干扰。本文介绍了使用特别工艺设计的迅速软恢复二极管。该二极管是为高频应用而设计的,在高频应用方面有着平稳的开关属性。本文还介绍了用该二极管制造的200A绝缘型和非绝缘型迅速软恢复二极管模块及其应用。1.快速软恢复二极管介绍大功率快速软恢复二极管主要运用在高频电力电子电路中,它与主回路中的晶闸管或IGBT等新型电力半导体开关器件相并联,开关器件反向时,流过负载中的无功电流,减少电容的充电时间,同时抑止因负载电流瞬时反向而感应的过电压尖峰。为了提高开关器件及电力电子线路的可靠性和稳定性,须要采用迅速软恢复二极管。快速软恢复二极管可以减小高频电路的损耗。在硬开关过程中存在的主要疑问是:二极管反向回复电流(Irm)增加了开关器件开通损耗率,并且在迅速di/dt开关时能够产生电磁干扰。如果反向回复电流迅速返回零点,就会产生尖峰电压和电磁干扰。江苏快恢复二极管MURB860

与快恢复二极管相关的文章
与快恢复二极管相关的产品
与快恢复二极管相关的问题
与快恢复二极管相关的热门
产品推荐
相关资讯
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责