化合物半导体芯片工艺

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南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司具备先进的半导体器件及电路的加工流片能力，具备独具创新的技术和研发能力。作为一家致力于半导体领域的先进技术研究机构，公司拥有一支高素质的研发团队，并配备了先进的研发设备。通过不断探索和突破，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司成功研发出多种半导体器件及电路，并具备了高水平的加工流片能力，可以为客户提供芯片单步、多步加工服务，也可开展芯片特殊工艺开发。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质集成工艺服务，如：1）晶圆键合：提供6英寸及以下超高真空键合、表面活化键合、聚合物键合、热压键合、共晶键合等多种类晶圆及非标准片键合服务；2）衬底减薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料衬底减薄服务；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亚纳米级精细抛光服务。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的多种异质集成技术服务包括：超高真空键合、衬底减薄和表面平坦化等，都是基于先进的技术和设备，以满足客户的不同需求。芯谷高频研究院高功率密度热源产品可根据客户需求设计出色的散热效能和优异的热管理能力。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务，该系列大功率GaN微波毫米波太赫兹二极管器件产品具有耐功率、高速等优势，工作频率涵盖1GHz~300GHz，截止频率达600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干扰能力；可用于无线输能或远距离无线充电，可大幅提高整流功率和效率，实现装置的小型化；用于太赫兹系统，可提高太赫兹固态源输出功率，实现太赫兹源小型化，为6G通信等未来应用奠定基础。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供定制化光电器件及电路开发方案和工艺加工服务。河北化合物半导体芯片设计

芯谷高频研究院的热物性测试仪产品可满足4英寸量级尺寸以下的任意形状、任意厚度的高导热材料热物性测试。化合物半导体芯片工艺

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院的公共技术服务平台为客户提供专业的芯片制造技术服务。该平台拥有先进的设备和专业的团队，通过多种工艺流程，包括光刻、金属化、高温处理和键合等，为客户提供技术支持，助力客户实现芯片从设计到制造的全过程。其优势在于为客户提供高效、准确和定制化的服务，满足客户在工艺选择、设备操作和技术咨询等方面的需求。从技术咨询到流片调试和产品测试，该研究院都能为客户提供专业的技术服务。化合物半导体芯片工艺