厦门工控级电流传感器出厂价

（1）交流电流对直流电流测量精度的影响测试交流分量对直流测量的影响时，在交直流传感器上均匀绕制直流绕组，其匝数Nd=30，分别测试在25A交流和250A交流时，交直流电流传感器对于直流电流的测量误差。红色曲线为0.05级直流电流互感器比差限值曲线，黄色曲线为250A交流下直流误差曲线，黑色曲线为25A交流下直流误差曲线。由图5－6可知，在25A及250A交流分量下，直流测量仍满足0.05级直流误差限值。交流分量大小对新型交直流电流传感器直流测量误差无明显影响。因此，本文设计的新型交直流电流传感器可完成不同交流分量下直流电流高精度测量。（2）直流分量对交流电流测量精度的影响在实验过程中，受限于传感器样机内径尺寸及直流绕组匝数限制，分别施加20A和50A直流电流，测试直流分量对交直流电流传感器的交流电流测量精度的影响。传统磁通门电流传感器常用偶次谐波检测法来检测被测电流值。厦门工控级电流传感器出厂价

误差控制电路由PI环节构成，其直流开环增益越大越好，同时要求所选择运算放大器失调电压小，单位增益带宽大，选用OP27G高精密运放。误差控制电路输出直接连接PA功率放大电路，以驱动其输出反馈电流IF。常见的功率放大电路包括集成功率放大电路以及三极管等功率器件搭建的A类，B类，AB类，D类，H类功率放大电路[9,50]。在基于磁通门原理的直流电流测量的类似方案中，为了通过降低功率放大电路的功耗以改善整个系统的运行功耗，D类功率放大电路，H类功率放大电路常有出现，但该类功率放大电路输出纹波较大，因此对反馈电流中交直流测量带来误差。为了减小功率放大电路环节的输出纹波，本文选择了传统AB类功率放大电路，其功率器件选择TI德州仪器旗下的TIP110，TIP117，两者器件参数一致，为互补对称的大功率达灵顿管，其大输出交流可达2A。南昌磁通门电流传感器定制在新型磁通门电流传感器中，传感器探头是关键部件。

传感器技术作为21世纪世界争夺高科技技术的制高点的重要技术，同时也是现代信息技术的三大技术产业的支柱之一。电流传感器在电力电子技术控制和变换领域应用越来越广。电流传感器不论在新能源技术发展中的并网控制，对过剩能量存储以及再分配，还是在智能电网中的监测以及电能的分配转换等环节都起着极其重要的作用。电流的精确检测是高频电力电子应用系统可靠高效运行的基础。不同于传统电力系统中的电流检测，高频电力电子系统的电流检测存在很多特殊的情况。

6、磁通门电流传感器磁通门电流传感器一直是产业界和研究人员关注的焦点，具有结构简单、灵敏度高、线性度好、分辨率高和精度高等优点，因此在多个领域得到了广泛应用。磁通门电流传感器可以测量直流或低频交流，并且适合高温场合下的应用。传统的磁通门电流传感器的基本工作原理是利用铁磁材料的非线性特性，其磁导率随传感器周围磁场的变化而变化。

磁通门电流传感器的优点有：高精度，磁通门技术具有***的技术优势，采用激励磁场持续振荡，可等效于消磁磁场，使磁滞降到比较低。宽带特性，对交流电或快速变化的电流进行测量，具有很高的带宽性能。抗干扰能力强在工业噪声和电磁干扰环境下，仍能保持很高的测量精度和稳定性1。适用于大电流环境。在大电流冲击后仍能保持低零偏，高精度特性，特别适用于动力电池电量监测，高精度电流监测等应用场合，如电动汽车电池管理系统。 电阻值的变化：霍尔电流传感器的内部电阻值可能会受到温度、湿度、机械应力和时间等因素的影响而发生变化。

假设初始状态输出电压 VO 在 t=0 时刻 VO=VOH 。根据电阻分压关系可得电路的正反 馈系数 ρ=R1/(R1+R2) ，且运放同相端电压 V+=ρVOH 。此时运放反相端电压 V-=V+=ρVOH, 在 0～t1 时刻，对非线性电感 L 进行正向充电，充电电流大小受到电阻分压及采样电阻 RS 限制，充电电流从 0 开始增大，最大值为 Im=ρVOH/RS。在 0～t1 期间，铁芯 C1 工作点 始终在线性区 A，线性区激磁感抗 ZL 较大， 激磁电流 iex 缓慢增长到正向激磁电流阈值 Ith ，此时铁芯 C1 工作点开始进入正向饱和区 B。基于全相位傅里叶变换的软件解调方法解决数据截断引起的频谱泄漏问题。福建电流传感器接线图

由于霍尔效应传感器的输出信号与被测电流成正比，因此它可以用于测量直流或交流电流。厦门工控级电流传感器出厂价

IP<0 时激磁电压波形 Vex 及激磁电流波形，图中红色曲线 为 IP=0 时激磁电流波形。为方便下一节对自激振荡磁通门传感器建模，将零点选择为激磁电流达到反向充电电流 I-m 时刻，此时激磁电压恰好发生翻转。当一次电流 IP<0，即为负向直流偏置，其在铁芯 C1  中产生恒定的去磁直流磁通，  铁芯 C1 磁化曲线将向右发生平移使铁芯 C1 进入负向饱和区的阈值电流变小。 且负向饱 和阈值电流满足 I-th1=I-th-βIp，此时新的振荡过程将不同于原 IP=0 时自激振荡过程，由于 负向饱和阈值电流 I-th1 小于原负向激磁阈值电流 I-th，从而导致负半周波自激振荡过程将 不会在原时刻进入饱和区， 而是略有提前， 即铁芯 C1 工作点将提前进入负向饱和区 C； 同时，由于负向去磁直流磁通作用，铁芯 C1  进入正向饱和区需要额外的激磁电流以抵 消负向直流产生的的负向磁势， 使得铁芯 C1  进入正向饱和区的阈值电流变大，正向饱 和阈值电流满足 I+th1=I+th-βIp 。厦门工控级电流传感器出厂价