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如果要将两块PCB相互连结，一般我们都会用到俗称「金手指」的边接头（edgeconnector）。金手指上包含了许多裸露的铜垫，这些铜垫事实上也是PCB布线的一部份。通常连接时，我们将其中一片PCB上的金手指插另一片PCB上合适的插槽上（一般叫做扩充槽Slot）。在计算机中，像是显示卡，声卡或是其它类似的界面卡，都是借着金手指来与主机板连接的。PCB上的绿色或是棕色，是阻焊漆（soldermask）的颜色。这层是绝缘的防护层，可以保护铜线，也可以防止零件被焊到不正确的地方。在阻焊层上另外会印刷上一层丝网印刷面（silkscreen）。通常在这上面会印上文字与符号（大多是白色的），以标示出各零件在板子上的位置。丝网印刷面也被称作图标面（legend）。·各功能单元电路的布局应以主要元件为中心,来围绕这个中心进行布局。武汉PCB培训规范

⑶间距相邻导线之间的距离应满足电气安全的要求，串扰和电压击穿是影响布线间距的主要电气特性。为了便于操作和生产，间距应尽量宽些，选择小间距至少应该适合所施加的电压。这个电压包括工作电压、附加的波动电压、过电压和因其它原因产生的峰值电压。当电路中存在有市电电压时，出于安全的需要间距应该更宽些。⑷路径信号路径的宽度，从驱动到负载应该是常数。改变路径宽度对路径阻抗(电阻、电感、和电容)产生改变，会产生反射和造成线路阻抗不平衡。所以，保持路径的宽度不变。在布线中，避免使用直角和锐角，一般拐角应该大于90°。直角的路径内部的边缘能产生集中的电场，该电场产生耦合到相邻路径的噪声，45°路径优于直角和锐角路径。当两条导线以锐角相遇连接时，应将锐角改成圆形。湖北高速PCB培训教程大面积敷铜设计时敷铜上应有开窗口，加散热孔，并将开窗口设计成网状。

电压河水之所以能够流动，是因为有水位差；电荷之所以能够流动，是因为有电位差。电位差也就是电压。电压是形成电流的原因。在电路中，电压常用U表示。电压的单位是伏（V），也常用毫伏（mV）或者微伏（uV）做单位。1V=1000mV，1mV=1000uV。电压可以用电压表测量。测量的时候，把电压表并联在电路上，要选择电压表指针接近满偏转的量程。如果电路上的电压大小估计不出来，要先用大的量程，粗略测量后再用合适的量程。这样可以防止由于电压过大而损坏电压表。电阻电路中对电流通过有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫做电阻。电阻常用R表示。电阻的单位是欧（Ω），也常用千欧（kΩ）或者兆欧（MΩ）做单位。1kΩ=1000Ω，1MΩ=1000000Ω。导体的电阻由导体的材料、横截面积和长度决定。

在现代科技发展快速的时代，电子产品已经成为我们生活中不可或缺的一部分。其中，PCB（PrintedCircuitBoard印刷电路板）作为电子产品中重要的组成部分之一，起到了承载和连接电子元器件的重要作用。由于其广泛应用于电脑、手机、家电等众多领域，对PCB的需求量也日益增长。因此，掌握PCB设计和制造技术成为了现代人不可或缺的一项技能。为了满足不同人群对PCB技术的需求，许多相关的培训机构相继涌现。这些培训机构致力于向学员传授PCB的相关知识和技能，帮助他们迅速掌握并应用于实际项目中。模拟电压输入线、参考电压端要尽量远离数字电路信号线，特别是时钟。

导入网表（1）原理图和PCB文件各自之一的设计，在原理图中生成网表，并导入到新建PCBLayout文件中，确认网表导入过程中无错误提示，确保原理图和PCB的一致性。（2）原理图和PCB文件为工程文件的，把创建的PCB文件的放到工程中，执行更新网表操作。（3）将导入网表后的PCBLayout文件中所有器件无遗漏的全部平铺放置，所有器件在PCBLAYOUT文件中可视范围之内。（4）为确保原理图和PCB的一致性，需与客户确认软件版本，设计时使用和客户相同软件版本。（5）不允许使用替代封装，资料不齐全时暂停设计；如必须替代封装，则替代封装在丝印字符层写上“替代”、字体大小和封装体一样。PCB培训课程通常从PCB基础知识讲解开始，介绍PCB的起源、发展历程以及相关的物理原理。湖北了解PCB培训布局

避免在PCB边缘安排重要的信号线，如时钟和复位信号等。武汉PCB培训规范

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。武汉PCB培训规范