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锂电池PACK设计过程中锂电池保护IC是保护芯片的，首先取样电池电压，然后通过判断发出各种指令。MOS管：它主要起开关作用 2、保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极(这时MOS1被D1短路)，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。 线圈一体型micro DC/DC转换器。XB4432SKP2电源管理IC赛芯微xysemi

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XS5305电源管理IC上海芯龙耐高压内置MOS锂电保护小封装、低功耗。

5301C、6501C、STP01、STP02、3IS1、A0v、3A、6A、6D、6B、XBaca、XBaaA、2h1Hj、XB4908、5136IS、5152I2SZ、3IS3、H3A3b1、3A3d1、6A3Z、6D3K、XBaaA3b1、XBaaA3b2、XB4908AJ、XB4908AJ3K2、XB4908GJ1w1、XB4908GJ3d1、5306A3T、5306A3W、5307A3A、5332A2W5、5332A2w、55352A3T、5352AR、3Q5352G2n、5352G3T、5352G3T/、5352G2r、5353A3T、5353A3W、5606AJ2s3、5606AJ2u1、5606AJ2v、15606AJ2z6、5606GJ1E、5608AJ2z、5608AJ3K、XB6008H3Q、3J131dA、6096J9o、6096J9q、6096JS0N、XB7608A2S3、XB7608A2S6、XB7608AJ3c1、XB7608AJL3a1、XB7608GJ3Z、XB7608GJ3d、XB8089D2h、XB8089D3T、XB8089D3U、XB8089G2n、XB8608AJ2W、XB8608AJ2s、XB8886A3B4、XB8886A3X1、XB8886A3b4、XB8886G3H、XB8989A2x、XB8989A3V31ihv、XC30713M、XC31012u、3105AN1w、50150y、50151P、AN1R、AN1S、XR29812e/、XR29812g、34033L、9u27、2m2DV、2n2DV、2f1D、a2g1Da、2g2Da2g2Da/、2f1Da、2g3Da、2g3Da/、2g2Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、

是一款集成降压变化器，锂电池充电管理，电池电量指示的多功能电源管理SOC，为USB充干电池提供完整的电源解决方案。 XS5301 XS5306 XS5502充电电流和充电电压可调，支持多种规格锂电池应用，充电电流1A.ZCC5600充电电压和电流根据锂电池温度自动调节，更加安全可靠。放电输出1.5V固定电压，高效率高达93%.待机电流低至3uA以内，支持锂电池长时间待机。·充电电流和充电电压外部电阻调节 支持4.2/4.3/4.35/4.4V锂电池充电充电电流400mA-1000mA可调太阳能板供电的锂电池、磷酸铁锂电池充电管理芯片。

XB8089A、XB8089D、XB8089D0、XB8089D3、XB8089G、XB8608AF、XB8608AFJ、XB8608AJ、XB8608G、XB8702I、XB8703I、XB8783A、XB8783AHM、XB8783G、XB8789D0、XB8886A、XB8886AR、XB8886AZ、XB8886G、XB8886I、XB8886M、XB8887A、XB8889A、XB8989AF、XB8989GF、XB8989MF、XB9121H2、XB9241A、XB9241G、XB9901A、XB9901G。XBDL61515JS、XBDL63030JS、XBG4508A、XBG6096MS、XBGL6034QS、XBGL6155MS、XBL6015J2SSM、XBL6015M2SSM、XBL6015Q2SSM、XBL6015Q2SSM、XBL6032J2SSM、XBL6032Q2SSM、XBL6042JSSM、XBL6042QSSM、XBL6083J2SSM、XBM3204BCA、XBM3204DBA、XBM3204JFG、XBM3212DGB、XBM3212JFG、XBM3214BCA、XBM3214DBA、XBM3214DCA、XBM3214DG、BXBM3214JFG、XBM3215MDA、XBM3215DGB、XBM3215JFG、XBR4303A、XBR5152QS、XBR5355A、XBR6096QS、XB4432SKP2、XC3062A、XC3062C、XC3071A、XC3071AT、XC3071C、XC3098VYP、XC3101A、XC3105AX、C3105AN、XC3105C、XC3105CN、XC3106A、XC3106AN、XC3106CN、XC3108RA、XC3108RC、XC3108RD、XC3108VA、XC5011、XC5015、XC5016、XC5071、XC5101、XC5105A、XF5131多串锂电池保护IC、带均衡或者不带均衡。XB5153J2S电源管理IC赛芯微xysemi

在输入端的NTC热敏电阻，是靠充电器的输入电流来加热，降低电阻。XB4432SKP2电源管理IC赛芯微xysemi

智浦芯联创建于苏州市工业园区内，企业主要从事模拟及数模混合集成电路设计，总部现已迁移至南京。深圳设立销售服务支持中心，宁波、中山、厦门设立办事处。公司具有国内的研发实力，南京、成都均设有研发中心，并与东南大学ASIC中心成为协作单位，在国内创先开发成功并量产了多款国家/省部级科技奖励和国家重点新产品认定产品，特别在高低压集成半导体技术方面，研发团队中有多名博士主持项目的开发。建立了科技创新和知识产权的规范体系，在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计等方面积累了众多技术。XB4432SKP2电源管理IC赛芯微xysemi

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