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丝印调整,子流程:设置字符格式→调整器件字符→添加特殊字符→添加特殊丝印。设置字符格式,字符的宽度/高度:1/3盎司、1/2盎司(基铜):4/23Mil(推荐设计成4/25Mil);1盎司(基铜):5/30Mil;2盎司(基铜):6/45Mil;字高与字符线宽之比≥6:1。调整器件字符(1)字符与阻焊的间距≥6Mil。字符之间的距离≥6Mil,距离板边≥10Mil;任何字符不能重叠且不能被元器件覆盖。(2)丝印字符阴字线宽≥8mil;(3)字符只能有两个方向,排列应遵循正视时位号的字母数字排序为从左到右,从下到上。(4)字符的位号要与器件一一对应,不能颠倒、变换顺序,每个元器件上必须标出位号不可缺失,对于高密度板,可将位号标在PCB其他有空间的位置,用箭头加图框表示或者字符加图框表示,如下图所示。字符摆放完成后,逐个高亮器件,确认位号高亮顺序和器件高亮顺序一致。布局中应参考原理框图,根据单板的主信号流向规律安排主要元器件。深圳正规PCB培训教程

添加特殊字符(1)靠近器件管脚摆放网络名,摆放要求同器件字符,(2)板名、版本丝印:放置在PCB的元件面,水平放置,比元件位号丝印大(常规丝印字符宽度10Mil,高度80Mil);扣板正反面都需要有板名丝印,方便识别。添加特殊丝印(1)条码:条码位置应靠近PCB板名版本号,且长边必须与传送方向平行,区域内不能有焊盘直径大于0.5mm的导通孔,如有导通孔则必须用绿油覆盖。条码位置必须符合以下要求,否则无法喷码或贴标签。1、预留区域为涂满油墨的丝印区。2、尺寸为22.5mmX6.5mm。3、丝印区外20mm范围内不能有高度超过25mm的元器件。2)其他丝印:所有射频PCB建议添加标准“RF”的丝印字样。对于过波峰焊的过板方向有明确规定的PCB,如设计了偷锡焊盘、泪滴焊盘或器件焊接方向,需要用丝印标示出过板方向。如果有扣板散热器,要用丝印将扣板散热器的轮廓按真实大小标示出来。放静电标记的优先位置是PCB的元件面,采用标准的封装库。在板名旁留出生产序列号的空间,字体格式、大小由客户确认。湖北正规PCB培训报价在正式培训结束后,提供持续的学习资源和支持。

7、晶振离芯片尽量近,且晶振下尽量不走线,铺地网络铜皮。多处使用的时钟使用树形时钟树方式布线。8、连接器上信号的排布对布线的难易程度影响较大,因此要边布线边调整原理图上的信号(但千万不能重新对元器件编号)。9、多板接插件的设计:(1)使用排线连接:上下接口一致;(2)直插座:上下接口镜像对称,如下图:10、模块连接信号的设计:(1)若2个模块放置在PCB同一面,则管教序号大接小小接大(镜像连接信号);(2)若2个模块放在PCB不同面,则管教序号小接小大接大。

元件排列原则(1)在通常条件下,所有的元件均应布置在PCB的同一面上,只有在顶层元件过密时,才能将一些高度有限并且发热量小的元件(如贴片电阻、贴片电容、贴片IC等)放在底层。(2)在保证电气性能的前提下,元件应放置在栅格上且相互平行或垂直排列,以求整齐、美观。一般情况下不允许元件重叠,元件排列要紧凑,输入元件和输出元件尽量分开远离,不要出现交叉。(3)某些元件或导线之间可能存在较高的电压,应加大它们的距离,以免因放电、击穿而引起意外短路,布局时尽可能地注意这些信号的布局空间。(4)带高电压的元件应尽量布置在调试时手不易触及的地方。(5)位于板边缘的元件,应该尽量做到离板边缘有两个板厚的距离。(6)元件在整个板面上应分布均匀,不要这一块区域密,另一块区域疏松,提高产品的可靠性。原理图:可生成正确网表的完整电子文档格式,并提供PCB所需的布局和功能;

电磁兼容问题没有照EMC(电磁兼容)规格设计的电子设备,很可能会散发出电磁能量,并且干扰附近的电器。EMC对电磁干扰(EMI),电磁场(EMF)和射频干扰(RFI)等都规定了的限制。这项规定可以确保该电器与附近其它电器的正常运作。EMC对一项设备,散射或传导到另一设备的能量有严格的限制,并且设计时要减少对外来EMF、EMI、RFI等的磁化率。换言之,这项规定的目的就是要防止电磁能量进入或由装置散发出。这其实是一项很难解决的问题,一般大多会使用电源和地线层,或是将PCB放进金属盒子当中以解决这些问题。电源和地线层可以防止信号层受干扰,金属盒的效用也差不多。对这些问题我们就不过于深入了。电路的速度得看如何照EMC规定做了。内部的EMI,像是导体间的电流耗损,会随着频率上升而增强。如果两者之间的的电流差距过大,那么一定要拉长两者间的距离。这也告诉我们如何避免高压,以及让电路的电流消耗降到。布线的延迟率也很重要,所以长度自然越短越好。所以布线良好的小PCB,会比大PCB更适合在高速下运作。在PCB培训过程中,实际案例的讲解也是非常关键的一部分。深圳哪里的PCB培训报价

通过学习PCB的结构、材料以及层次设计,学员可以逐步了解不同类型的PCB及其特点。深圳正规PCB培训教程

存储模块介绍:存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的详细参数如下:DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,缺点是传导效果差,容易受干扰,散热不理想,而FBGA内存颗粒精致小巧,体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,有效地缩短信号传输距离,在抗干扰、散热等方面更有优势,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量,封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高,从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低;DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺,而DDR2采用了0.09微米制造工艺,DDR3则采用了全新65nm制造工艺,而DDR4使用20nm以下的工艺来制造,从DDR~DDR4的具体参数如下表所示。深圳正规PCB培训教程

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