半导体真空腔体制造

真空腔体是保持内部为真空状态的容器，真空腔体的制作要考虑容积、材质和形状。不锈钢是目前超高真空系统的主要结构材料。具有优良的抗腐蚀性、放气率低、无磁性、焊接性好、导电率和导热率低、能够在-270—900℃工作等优点，在高真空和超高真空系统中，应用普遍。近年来，为了降低真空腔体的制作成本，采用铸造铝合金来制作腔体也逐渐普及。另外，采用钛合金来制作特殊用途真空腔体的例子也不少。畅桥真空科技(浙江)有限公司是一家专业从事真空设备的设计制造以及整合服务的提供商。公司经过十余年的发展，积累了大量真空设备设计制造经验以及行业内专业技术人才。目前主要产品包括非标真空腔体、真空镀膜腔体、真空大型设备零组件等各类高精度真空设备，产品普遍应用于航空航天、电子信息、光学产业、半导体、冶金、医药、镀膜、科研部门等并出口海外市场。我们欢迎你的来电咨询！使用真空腔体，可实现真空进料、真空脱气、真空浓缩等工艺。半导体真空腔体制造

铝合金真空腔体的表面处理介绍：铝材长期暴露在空气中，与其它元素发生化学反应后，变成黑色。铝的腐独电位较负，对铝合金型材表面处理可以提高材料防腐性、装饰性和功能性。

表面处理分类?铬化：适用于铝及铝合金、镁及镁合金产品。使产品表面形成一层厚度在0.5-4um的化学转化膜，其膜吸附性好，主要作为涂装底层。

阳极氧化：使产品表面形成一层硬度达200-300HV的致密氧化层，其耐磨性极好。电镀：有镀镍、镀银、镀金、镀锌、镀铜、镀铬等各类。

涂装：叫电涂装，分为浸涂、喷涂、淋涂、刚涂等，以浸涂和喷涂为主，采用电化法将有机树脂的粒沉积在工件的表面上，形成透明或各色的有机涂层，其蚀好，不易变色，结台力好。

化学镀：是在无电流通过时借助还原剂在同一溶液中发生的复化还原作用，从而使金属离子还原沉和在零件表面上的一种方法电泳处理：采用电化学方法将有机树脂的胶体粒子沉积在零件上，形成透明或各种颜色的有机涂层。建筑铝合金型材，要求其具有耐腐蚀、耐候、磨损、外观装饰好、使用寿命长等特点，必须进行后续的表面处理使其达到所需要求，对型材表面起到保护层和装饰层的作用。 太远铝合金真空腔体设计在生物科技领域中，真空技术也具有重要的应用。

高能电子衍射敏RHEED）高能电子衍射是常用的判断衬底及薄膜样品单晶程度的方法。高能电子衍射元件发出电子沿着需要观察的薄膜晶向掠入射在高能电子衍射屏涂有荧光粉）上形成电子衍射条纹。高能电子衍射元件和屏夹角约180度，连线经过中心点。因为薄膜为二维结构，所以其单晶晶格在倒易空间中表现为一系列的倒易棒，高能电子在倒易空间中表现为一个半径很大的球面。两者相切，即得到一系列平行的衍射条纹，间距由薄膜的晶格常数决定。这样的高能电子衍射条纹，就可以证明样品的单晶程度是否良好。

真空腔体的制作工艺介绍：为了减小腔体内壁的表面积，通常用喷砂或电解抛光的方式来获得平坦的表面。超高真空系统的腔体，更多的是利用电解抛光来进行表面处理。焊接是真空腔体制作中重要的环节之一。为避免大气中熔化的金属和氧气发生化学反应从而影响焊接质量，通常采用氩弧焊来完成焊接。氩弧焊是指在焊接过程中向钨电极周围喷射保护气体氩气，以防止熔化后的高温金属发生氧化反应。超高真空腔体的氩弧焊接，原则上必须采用内焊，即焊接面是在真空一侧，以免存在死角而发生虚漏。不锈钢真空腔体的几种表面处理方法：喷丸、喷砂。

晶体振荡器：晶体振荡器是分子束外延生长的定标设备。定标时，待蒸发源蒸发速度稳定后，将石英振荡器置于中心点。通过读出石英振荡器振荡频率的变化，可以知道蒸发源在单位时间内在衬底上长出薄膜的厚度。有的不锈钢真空腔体将晶振放在样品架放置样品位置的反面（如小腔），在新腔体的设计中单独设计了水冷晶振的法兰口，用一个直线运动装置（LinearMotion）控制晶振的伸缩。生长挡板：生长挡板通过在蒸发源和样品之间的静态或动态遮挡，可以在同一块衬底上生长出特殊几何图形或者多种不同厚度的薄膜样品。随着真空腔体容积的增加，传热光靠夹套已很不够，常常要在反应器内设置附加传热挡板。安徽镀膜机腔体设计

在一些极低温度的研究中，需要把组件放在低温环境下，这就需要真空腔体设有特定的结构。半导体真空腔体制造

真空腔体操作前的准备工作：

1、检查水冲泵（前级泵）水箱液位是否达水箱的3/4以上，若不足则补足。

2、检查水箱内所使用的水是否清洁，不允许用含有泥沙的污水，以免堵塞管路，真空腔体增加水泵叶轮磨损、增加电机负荷造成故障，影响水冲泵使用寿命。

3、检查中间泵及主泵泵体内的润滑油油面高，须达油窗的3/4以上，同时检查润滑油的颜色，出现乳白色或黑色杂质较多则通知机修替换润滑油。

4、真空腔体检查中间泵及主泵循环冷却水水路是否完好，打开循环冷却水进出口阀门，检查循环冷却进出水是否正常。

5、检查中间泵底部缓冲罐排污阀门是否关闭。

6、检查机组电路完好及控制柜各项指示等是否正常。

7、检查机组触点压力表中级泵、主泵启动压力是否正常（中级泵启动入口压力为0.065Mpa以上，主泵启动入口压力为0.085Mpa以上）。

8、待以上事项检查完毕确认无误后方可启动真空腔体机组。 半导体真空腔体制造