衢州进口数显真空烘箱

常用PI/BCB/BPO胶的固化方法如下：1、在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂；2、通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态PI/BCB/BPO胶，接着将涂覆好PI/BCB/BPO胶的半导体芯片放入固化炉中，并通入氮气保护；3、加热固化炉，使涂覆PI/BCB/BPO胶的半导体芯片达到一温度，稳定一段时间，使PI/BCB/BPO胶中的溶剂分布均匀4、再将加热固化炉升高到第二温度，稳定一段时间，使PI/BCB/BPO胶中的溶剂充分挥发；5、再将加热固化炉升高至第三温度，稳定一段时间，在半导体芯片表面形成低介电常数PI/BCB/BPO胶薄膜；6、将加热固化炉的温度降至一预定温度，关氮气，取出样品，完成固化工艺。真空泵内置泵体，噪音小易维护。衢州进口数显真空烘箱

真空干燥箱和一般的烘箱区别真空箱：是在负压下工作，氧含量少，可以减少或杜绝氧化反应。负压下溶剂的沸点降低，避免高温干燥损坏物料品质。若溶剂为有害或有价值的气体可以冷凝回收。缺点：温度均匀性不好控制，如需控制均匀性必须做多层层板且单独加热。也有真空箱体带风机，先真空再充氮气的加热的。这样可以减少氧化，且通过鼓风保证均匀性。但是没有办法降低溶剂沸点。一般烘箱：是通过电加热再加鼓风，用热空气换热使物料干燥。通常较真空干燥比造价低，运行成本低。杭州双层钢化玻璃观察窗真空烘箱定制真空泵在寒冬季节使用时，停车后，需将泵体下部放水螺塞拧开将介质放净。防止冻裂。

使用注意事项：7.真空箱经多次使用后，会产生不能抽真空的现象，此时应更换门封条或调整箱体上的门扣伸出距离来解决。当真空箱干燥温度高于200℃时，会产生慢漏气现象（除6050、6050B、6051、6053外），此时拆开箱体背后盖板用内六角扳手拧松加热器底座，调换密封圈或拧紧加热器底座来解决。8.放气阀橡皮塞若旋转困难，可在内涂上适量油脂润滑。（如凡士林）9.除维修外，不能拆开左侧箱体盖（6090及6210型除外）以免损坏电器控制系统。10.真空箱应经常保持清洁。箱门玻璃切忌用有反应的化学溶液擦拭，应用松软棉布擦拭。11.若真空箱长期不用，将露在外面的电镀件擦净后涂上中性油脂，以防腐蚀，并套上塑料薄膜防尘罩，放置于干燥的室内，以免电器元件受潮损坏，影响使用。12.真空箱不需连续抽气使用时，应先关闭真空阀，再关闭真空泵电源，否则真空泵油要倒灌至箱内。

    本实用新型的一种新型的真空烘箱，其创新点在于：包括箱体、盖板、底板、侧板、连接装置、进水管、出水管和导流管；所述箱体与所述盖板相匹配，且二者之间螺接形成一水平设置的中空长方体结构；在所述箱体的内底面还水平螺接设有底板，且在所述底板的上表面左右两端还竖直对称固定设有侧板；在两个所述侧板之间还呈矩阵依次间隔设有数个导流管，每一所述导流管均为水平设置的中空圆柱体结构，且其两端分别水平延伸出两个所述侧板；上下相邻两个所述导流管的两端之间分别错位通过连接装置密封连接，并形成数个竖直设置的蜿蜒状结构；在上面一层所述导流管的上方还水平间隔设有数个进水管，每一所述进水管均为中空的l形圆管结构，且其短边一端均竖直向上延伸出所述盖板，每一所述进水管的长边一端均依次水平延伸出两个所述侧板，并分别通过连接装置与上面一层对应位置所述导流管的一端密封连接；在下面一层所述导流管的下方还水平间隔设有数个出水管，每一所述出水管均为中空的l形圆管结构，且其短边一端均竖直向下延伸出所述箱体，每一所述出水管的长边一端均依次水平延伸出两个所述侧板，并分别通过连接装置与下面一层对应位置所述导流管的一端密封连接。长方体工作室，使有效容积达到比较大，微电脑温度控制器，精确控温。

互感器生产工艺流程：包扎→二次线圈绕制→二次线圈检测→一次线圈绕制→装模→真空浇注→加热固化→脱模→试验。其中：真空浇注：装入模具内的互感器半成品加热干燥达到工艺要求后，送入互感器用环氧真空浇注设备内，将配置好的环氧混合材料采用真空浇注的方式注入模具内，进行真空脱气处理，达到工艺要求的真空度后，破空取出模具送入电加热烘箱加热固化。脱模：电加热烘箱内的环氧混合料(环氧树脂和硅微粉)，在模具内经过加热固化成形后，将模具从烘箱内取出，打开模具，取出互感器产品。真空烘箱真空度≤133Pa，可有效进行真空脱处理，完成真空浇注工艺抽完真空后，先将真空阀门关闭，然后再将真空泵电源关闭或移除。杭州双层钢化玻璃观察窗真空烘箱定制

真空泵在运行过程中，轴承温度不能超过环境温度35C，最高温度不得超过80C。衢州进口数显真空烘箱

    为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性，通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤，在真空或干燥氮气的机台中，以150～200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分，在此温度下，晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后，晶片须经过一次烘烤，称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常，软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高，但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定，典型的软烘温度是90～100℃，时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后，为了后面的高能工艺，如离子注入和等离子体刻蚀，也须对晶片进行高温烘烤，称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 衢州进口数显真空烘箱