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DDR测试基本参数
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DDR测试

测试软件运行后,示波器会自动设置时基、垂直增益、触发等参数进行测量并汇总成一个测试报告,测试报告中列出了测试的项目、是否通过、spec的要求、实测值、margin等。图5.17是自动测试软件进行DDR4眼图睁开度测量的一个例子。信号质量的测试还可以辅助用户进行内存参数的配置,比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能,用户可以通过软件配置改变内存芯片中的匹配电阻,并分析对信号质量的影响。除了一致性测试以外,DDR测试软件还可以支持调试功能。比如在某个关键参数测试失败后,可以针对这个参数进行Debug。此时,测试软件会捕获、存储一段时间的波形并进行参数统计,根据统计结果可以查找到参数违规时对应的波形位置, DDR测试系统和DDR测试方法与流程;测量DDR测试代理商

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   克劳德高速数字信号测试实验室致敬信息论创始人克劳德·艾尔伍德·香农,以成为高数信号传输测试界的带头者为奋斗目标。

   克劳德高速数字信号测试实验室重心团队成员从业测试领域10年以上。实验室配套KEYSIGHT/TEK主流系列示波器、误码仪、协议分析仪、矢量网络分析仪及附件,使用PCIE/USB-IF/WILDER等行业指定品牌夹具。坚持以专业的技术人员,严格按照行业测试规范,配备高性能的权能测试设备,提供给客户更精细更权能的全方面的专业服务。     克劳德高速数字信号测试实验室提供具深度的专业知识及一系列认证测试、预认证测试及错误排除信号完整性测试、多端口矩阵测试、HDMI测试、USB测试等方面测试服务。 信息化DDR测试参考价格DDR的规范要求进行需求;

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1.目前,比较普遍使用中的DDR2的速度已经高达800Mbps,甚至更高的速度,如1066Mbps,而DDR3的速度已经高达1600Mbps。对于如此高的速度,从PCB的设计角度来帮大家分析,要做到严格的时序匹配,以满足信号的完整性,这里有很多的因素需要考虑,所有的这些因素都有可能相互影响。它们可以被分类为PCB叠层、阻抗、互联拓扑、时延匹配、串扰、信号及电源完整性和时序,目前,有很多EDA工具可以对它们进行很好的计算和仿真,其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比较多。显示了DDR2和DDR3所具有的共有技术要求和专有的技术要求

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内存条测试对内存条测试的要求是千差万别的。DDR内存条的制造商假定已经进行过芯片级半导体故障的测试,因而他们的测试也就集中在功能执行和组装错误方面。通过采用DDR双列直插内存条和小型双列直插内存条,可以有三种不同内存条测试仪方案:双循环DDR读取测试。这恐怕是简单的测试仪方案。大多数的测试仪公司一般对他们现有的SDR测试仪作一些很小的改动就将它们作为DDR测试仪推出。SDR测试仪的写方式是将同一数据写在连续排列的二个位上。在读取过程中,SDR测试仪能首先读DDR内存条的奇数位数据。然后,通过将数据锁存平移半个时钟周期,由第二循环读偶数位。这使得测试仪能完全访问DDR内存单元。该方法没有包括真正的突发测试,而且也不是真正的循环周期测试。


DDR3规范里关于信号建立保持是的定义;

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DDR信号的要求是针对DDR颗粒的引脚上的,但是通常DDR芯片采用BGA封装,引脚无法直接测试到。即使采用了BGA转接板的方式,其测试到的信号与芯片引脚处的信号也仍然有一些差异。为了更好地得到芯片引脚处的信号质量,一种常用的方法是在示波器中对PCB走线和测试夹具的影响进行软件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整个链路上各部分的S参数模型文件(通常通过仿真或者实测得到),并根据实际测试点和期望观察到的点之间的传输函数,来计算期望位置处的信号波形,再对这个信号做进一步的波形参数测量和统计。图5.15展示了典型的DDR4和DDR5信号质量测试环境,以及在示波器中进行去嵌入操作的界面。 DDR2总线上的信号波形;HDMI测试DDR测试配件

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2.PCB的叠层(stackup)和阻抗对于一块受PCB层数约束的基板(如4层板)来说,其所有的信号线只能走在TOP和BOTTOM层,中间的两层,其中一层为GND平面层,而另一层为VDD平面层,Vtt和Vref在VDD平面层布线。而当使用6层来走线时,设计一种拓扑结构变得更加容易,同时由于Power层和GND层的间距变小了,从而提高了电源完整性。互联通道的另一参数阻抗,在DDR2的设计时必须是恒定连续的,单端走线的阻抗匹配电阻50Ohms必须被用到所有的单端信号上,且做到阻抗匹配,而对于差分信号,100Ohms的终端阻抗匹配电阻必须被用到所有的差分信号终端,比如CLOCK和DQS信号。另外,所有的匹配电阻必须上拉到VTT,且保持50Ohms,ODT的设置也必须保持在50Ohms。在DDR3的设计时,单端信号的终端匹配电阻在40和60Ohms之间可选择的被设计到ADDR/CMD/CNTRL信号线上,这已经被证明有很多的优点。而且,上拉到VTT的终端匹配电阻根据SI仿真的结果的走线阻抗,电阻值可能需要做出不同的选择,通常其电阻值在30-70Ohms之间。而差分信号的阻抗匹配电阻始终在100Ohms。测量DDR测试代理商

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5.串扰在设计微带线时,串扰是产生时延的一个相当重要的因素。通常,可以通过加大并行微带线之间的间距来降低串扰的相互影响,然而,在合理利用走线空间上这是一个很大的弊端,所以,应该控制在一个合理的范围里面。典型的一个规则是,并行走线的间距大于走线到地平面的距离的两倍。另外,地过孔也起到一个相当重要的作用,图8显示了有地过孔和没地过孔的耦合程度,在有多个地过孔的情况下,其耦合程度降低了7dB。考虑到互联通路的成本预算,对于两边进行适当的仿真是必须的,当在所有的网线上加一个周期性的激励,将会由串扰产生的信号抖动,通过仿真,可以在时域观察信号的抖动,从而通过合理的设计,综合考虑空间和信号完整性,选择比较...

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