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    本发明涉及一种用来在铜的存在下选择性地蚀刻钛的蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法。背景技术：以往，在蚀刻钛时一直使用含有氢氟酸或过氧化氢的蚀刻液。例如专利文献1中提出了一种钛的蚀刻液，该钛的蚀刻液是用来在铜或铝的存在下蚀刻钛，并且该蚀刻液的特征在于：利用由10重量％至40重量％的过氧化氢、％至5重量％的磷酸、％至％的膦酸系化合物及氨所构成的水溶液将pH值调整为7至9。但是，含有氢氟酸的蚀刻液存在毒性高的问题，含有过氧化氢的蚀刻液存在缺乏保存稳定性的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第4471094号说明书。技术实现要素：发明所要解决的问题本发明是鉴于所述实际情况而成，其目的在于提供一种蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法，所述蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛，而且毒性低，保存稳定性优异。解决问题的技术手段本发明的蚀刻液是为了在铜的存在下选择性地蚀刻钛而使用，并且含有：选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸；以及选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物。所述硫酮系化合物推荐为选自由硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所组成的群组中的至少一种。什么制程中需要使用蚀刻液。深圳蚀刻液商家

ITO显影剂也称为造影剂或对比剂，是一种X光无法穿透的药剂，用于让体内组织在X光检查时能看得更清楚。例如消化道摄影时，医师会让患者喝下一杯显影剂溶液（大多含钡），然后用各种角度照相，就能让胃肠道看得很清楚。如果显影只是在光强较大的地方产生游离银，而对底片不做进一步处理，则把它一拿出暗室，未显影的卤化银就会立刻曝光。此后，几乎任何还原剂都将使底片完全形成灰雾。为了克服这个问题，必须找到一种适当的物质以除去未还原的卤化银。黑白照相中较常用的定影液是硫代硫酸钠溶液。其中的硫代硫酸根离子（S2O32-）与银离子形成可溶于水的稳定配合物，因而达到“固定”底片的目的。ITO显影液的市场需求会随着电子行业的快速发展而不断增长。绵阳铜蚀刻液蚀刻液报价蚀刻液的大概费用大概是多少？

    etchingamount)的相互关系的图表。具体实施方式本发明人确认了用于氮化物膜去除工序用蚀刻液组合物的具有防蚀能力的添加剂在满足特定参数值时能够使在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性去除氮化物膜且不损伤氧化物膜的效果极大化，从而完成了本发明。本发明包括选择在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*将氮化物膜选择性去除的能力优异的添加剂的方法、由此选择的添加剂、包含上述添加剂的蚀刻液组合物以及利用上述蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明中，蚀刻对象膜可以为氮化物膜，保护对象膜可以为氧化物膜。此外，本发明的上述添加剂可以为硅烷(silane)系偶联剂。<蚀刻液组合物>具体而言，本发明可以包含磷酸、添加剂和水，上述添加剂可以为硅烷(silane)系偶联剂。本发明的上述添加剂的特征在于，使上述添加剂的反应位点(activesite)的数量除以上述添加剂的水解(hydrolysis)了的形态的分子量之后乘以(参照以下数学式)满足。本发明中，各添加剂的反应位点(activesite)的数量和添加剂的水解(hydrolysis)了的形态的分子量的例子示于表3中。此外，由此计算的各添加剂的aeff值和与此有关的蚀刻程度的例示示于表2中。参照上述结果，可以确认到上述添加剂的aeff值推荐满足。

    近年来，oled显示器广泛应用于手机和平板显示。金属银以优异的电导率和载流子迁移率被广泛应用于oled显示器的阳极布线(ito/ag/ito)结构中。为了对此进行蚀刻，目前主要使用基于磷酸、硝酸、醋酸和硝酸盐的湿蚀刻液(cna)。这样的体系虽然能有效去除金属银，但在实际使用过程中仍会存在少量的银残留或银再吸附沉积问题。4.本发明所要解决的技术问题在于如何解决现有的银蚀刻液在使用过程中存在少量的银残留、银再吸附沉积问题。5.本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：6.一种银蚀刻液组合物，其成分由质量占比为40-60％磷酸、2-10％硝酸、％有机酸、％硝酸盐、％含氮元素有机物、其余为水组成。 蚀刻液应用于什么样的场合？

    负的值表示厚度减小。上述蚀刻液组合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻上述氮化物膜为特征，上述氧化物膜推荐包含sio2，上述氮化物膜推荐包含sin。上述蚀刻液组合物用于3dnand闪存制造工序，能够使上述氮化物膜去除工序中发生的副反应氧化物的残留和氧化物膜损伤不良问题**少化。本发明的蚀刻液组合物包含如上选择的添加剂，在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻氮化物膜时，能够使因副反应氧化物的残留时间变长而氮化物膜未被完全去除的不良(参照图2)以及氮化物膜虽被完全去除但也造成氧化物膜损伤(damage)的工序不良(参照图3)的发生**少化。因副反应氧化物的残留时间变长而氮化物膜未被完全去除的不良在添加剂的防蚀能力强于适宜水平时发生，氧化物膜不良在添加剂的防蚀能力弱于适宜水平时发生。以下，对于本发明的蚀刻液组合物中所包含的磷酸、作为添加剂的硅烷(silane)系偶联剂以及进行更详细的说明。(a)磷酸本发明的蚀刻液组合物中所包含的上述磷酸(phosphoricacid)作为主氧化剂可以在使氮化物膜氧化时使用。相对于组合物总重量，上述磷酸的含量为50～95重量％，推荐为80～90重量％。在上述磷酸的含量处于上述含量范围内的情况下。蚀刻液的发展趋势如何。南京BOE蚀刻液蚀刻液推荐货源

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一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法技术领域1.本技术涉及化学蚀刻技术领域，具体涉及一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法。背景技术：2.目前，电子器件的基板表面(例如显示器件的阵列基板)通常带有一定图案的氧化铟锡(ito)膜，以便后续给电子器件可控通电。该ito膜通常通过化学蚀刻的方法蚀刻ito材料层形成。其中，对于多晶ito(p-ito)材料，所用蚀刻液主要包括硫酸系、王水系ito蚀刻液。王水系蚀刻液成本低，但其蚀刻速度快，蚀刻的角度难以控制，且容易对ito膜的下层金属造成二次腐蚀。技术实现要素：3.有鉴于此，为克服目前存在的技术难题，本技术提供了一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法。4.具体地，本技术首先方面提供了一种ito蚀刻液，所述ito蚀刻液包括以下重量份数的各组分：20-22份的盐酸，6-7份的硝酸，0.5-3份的酸抑制剂，0.5-3份的表面活性剂，以及水；其中，所述酸抑制剂包括n,n-二异丙基乙胺、n,n-二异丙基乙醇胺中的至少一种；所述表面活性剂包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一种。5.通过对蚀刻液中硝酸及盐酸的含量进行精确限定，以实现了对王水系蚀刻液蚀刻速度的初步调控，并在一定程度上实现了对蚀刻角度的控制(蚀刻角度小于35深圳蚀刻液商家

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