塑料制品的热处理是指将成型制品在一定温度下停留一段时间而消除内应力的方法。热处理是消除塑料制品内取向应力的比较好方法。对制件进行热处理,可以使高聚物分子由不平衡构象向平衡构象转变,使强迫冻结的处于稳定的高弹形变获得能量而进行热松弛,从而降低或基本消除内应力。常采用的热处理温高于制件使用温度10~20℃或低于热变形温度5~10℃。热处理时间取决于塑料种类、制厚度、热处理温度和注塑条件。一般厚度的制件,热处理1~2小时即可,随着制件厚度增热处理时间应适当延长。提高热处理温度和延长热处理时间具有相似的效果,但温度的效更明显些。热处理方法:1)是将制件放入水、甘油、矿物油、乙二醇和液体石蜡等液体介质中,2)放入空气循环烘箱中加热到指定温度,并在该温度下停留一定时间,然后缓慢冷却到室温。实验表明,脱模后的制件立即进行热处理,对降低内应力、改善制件性能的效果更明显。此外,提高模具温度,延长制件在模内冷却时间,脱模后进行保温处理都有类似热处理的作用。 储存、加热、试验和干燥都是在没有氧气或者充满惰性气体环境里进行,所以不会氧化。苏州无尘埃破坏真空烘箱PID调节
橡胶的种类随着室温硫化胶料的增加和高温硫化的出现,硫化温度趋向两个极端。从提高硫化效率来说,应当认为硫化温度越高越好,但实际上不能无限提高硫化温度。橡胶为高分子聚合物,高温会使橡胶分子链产生裂解反应,导致交联键断裂,即出现“硫化返原”现象,从而使硫化胶的物理机械性能下降。综合考虑各橡胶的耐热性和“硫化返原”现象,各种橡胶建议的硫化温度如下:NR比较好在140-150℃,比较高不超过160℃;顺丁橡胶、异戊橡胶和氯丁橡胶比较好在150-160℃,比较高不超过170℃丁苯橡胶、丁腈橡胶可采用150℃以上,但比较高不超过190℃;丁基橡胶、三元乙丙橡胶一般选用160-180℃,比较高不超过200℃;硅橡胶、氟橡胶一般采用二段加硫,一段温度可选170-180℃,二段硫化则选用200-230℃,按工艺要求可在4-24h范围内选择。 苏州真空泵抽湿真空烘箱安全警报经常调整填料压盖,保证填料室内的滴漏情况正常(以成滴漏出为宜)。
由外及里,干燥箱的内胆有两种选择,一是镀锌板,二是镜面不锈钢。镀锌板在长期使用过程中容易生锈,不利于保养;镜面不锈钢外观整洁,易于保养,使用寿命长,属市场上较好的内胆材质,但是价格要稍高于镀锌板。 内胆的样品架子一般有两层,可根据客户的要求增添。由于样品架的质量是由不锈钢压制而成,且多增加的架子不利于内部热风的循环,加大风机的质量要求,所以每加一个架子的成本在三百元之间。国内干燥箱的保温材质主要是以纤维棉为主,少数采用聚氨酯。
真空镀膜蒸镀塑料件工艺流程:1、来料检查;2、干燥待真空镀膜镀件来料时含较多的水分,需干燥处理3-5小时,温度50-60度;3、上架,一般注塑时基本按真空镀膜机生产,因此待真空镀膜镀件表面一般油污较少经过一般的擦拭就可上架,但是来料油污多时需进行去污处理。方法是用清沾剂逐件刷洗,漂洗,烘干。油污严重时还需要用清洗剂在50-60度,浸泡15-20min进行脱脂处理;4、除尘,这道工序是保证真空镀膜镀膜质量的关键之一,方法有两种:一种是用吸尘器对准待真空镀膜镀件仔细地除尘,另一种是用高压其“吹尘”的方法;5、涂底漆;6、烘干,涂漆流平后进行干固处理,方法有红外线加热法,电热加热法及紫外线(UV)固化法等,固化温度为60-70度,固化时间为;7、真空镀膜,真空镀膜是保证真空镀膜镀膜质量的关键。真空镀膜的镀膜操作:待真空镀膜镀件上架并装上钨丝,然后入炉,检查接触是否良好,转动正常,关真空镀膜真空室,抽真空,真空镀膜蒸发铝,作为装饰膜真空镀膜蒸铝时的真空镀膜真空度控制在(1-2)*10-2Pa,真空镀膜蒸发采用快速蒸发可减少氧化概率,又不会使真空镀膜磨蹭的组织结构变粗。冷却充气,真空镀膜蒸铝以后,即可充气出炉;8、涂面漆。 真空泵在运行过程中,轴承温度不能超过环境温度35C,最高温度不得超过80C。
真空烘箱的真空泵-维护保养1、经常检查油位位置,不符合规定时须调整使之符合要求。以真空泵运转时,油位到油标中心为准。2、经常检查油质情况,发现油变质应及时更换新油,确保真空泵工作正常。3、换油期限按实际使用条件和能否满足性能要求等情况考虑,由用户酌情决定。一般新真空泵,抽除清洁干燥的气体时,建议在工作100小时左右换油一次。待油中看不到黑色金属粉末后,以后可适当延长换油期限。4、一般情况下,真空泵工作2000小时后应进行检修,检查桷胶密封件老化程度,检查排气阀片是否开裂,清理沉淀在阀片及排气阀座上的污物。清洗整个真空泵腔内的零件,如转子、旋片、弹簧等。一般用汽油清洗,并烘干。对橡胶件类清洗后用干布擦干即可。清洗装配时应轻拿轻放小心碰伤。将真空泵与真空阀连接,开启真空阀,抽真空;宁波进口数显真空烘箱监控系统
能够向内部充入惰性气体,特别是一些成分复杂的物品也能进行快速干燥。苏州无尘埃破坏真空烘箱PID调节
为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性,通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤,在真空或干燥氮气的机台中,以150~200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分,在此温度下,晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后,晶片须经过一次烘烤,称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常,软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高,但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定,典型的软烘温度是90~100℃,时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后,为了后面的高能工艺,如离子注入和等离子体刻蚀,也须对晶片进行高温烘烤,称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于:减少驻波效应;激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 苏州无尘埃破坏真空烘箱PID调节
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