输出电容选择：对于常规的5V-100mA规格，输出电容根据实际纹波电压需求选择100uF-220uF即可。假负载选择：需在空载输出电压和待机损耗上折中：即过大的假负载可以压制空载输出上飘电压，但系统待机损耗也随之加大；而过小的假负载则反之。一般而言，芯片系统推荐假负载阻值范围在1-2k范围内(随输出电压调整)，假负载损耗控制在10-15mW左右即可。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。PWM控制电路、**的过零检测电 路以及各种保护电路，用以实现临界导通驱动控制。江西AC高压220V降24V非隔离BUCK电源芯片定制
固定5V输出、高性能低成本离线式PWM控制功率KP320X是一款系列化的高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP320X内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。湖南AC高压降12V供电非隔离BUCK电源芯片资料电感电流的大小由过流保护门限决定，控 制器工作在临界导通模式下，加快了输出电容充电 速度。
芯片内部**小Toff时间固定为32us，同时为了优化系统EMI系统还带有±5%范围的抖频功能。在实际工作中，系统开关频率取决于负载状态以及VDD电压与输出电压基准的高低，所以系统工作在调频模式中。芯片内部差分采样电路采样流经高压MOS电流的压差作为内部过流比较器的输入。当过流比较器翻转时高压MOSFET关断直至下一个周期重新开通。为了避免开通瞬间的干扰，芯片内设计有前沿消隐电路(典型值400ns)，在此时间内过流比较器不翻转且高压MOSFET不允许关断。
降压非隔离电源芯片220V转5V，KP320X集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护(UVLO)、逐周期电流限制(OCP)、输出过压保护(OVP)、FB异常保护、过载保护(OLP)和过热保护等(OTP)。主要特点•固定5V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•待机功耗低于100mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•FB异常保护•异常过流保护(AOCP)•过热保护(OTP)•封装类型SOP-8良好的线性调整率和负载调整率，集成软启动电路。
220V降压3.3V瞬间450mA电流，专门针对WIFI模块供电设计的芯片，满足各种应用要求，低待机功耗：芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP35026集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、输出过压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护和过载保护等。主要特点•固定输出3.3V•快速动态响应，满足WIFI供电要求•空载待机功耗低于20mW•集成续流二极管•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•比较高45kHz开关频率•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•异常过流保护(AOCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOP-4芯片工作在准谐振工作模式下，可有 效降低开关损耗，提高系统效率。山东低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片原厂
这款芯片适用于MUC供电，线路简单。江西AC高压220V降24V非隔离BUCK电源芯片定制
芯片引脚内部有一个上拉电流源(IEN(P))，使得芯片在EN 引脚外部悬空时处于使能状态。同时，上拉电流源同样也可被用于设置外部VIN UVLO 功能的电压阈值和迟滞。引脚EN 引脚电压 VEN 由 VIN 分压得到，当VEN 随着 VIN 上升而大于VEN(R) 时，额外的一个上拉迟滞电流源(IEN(H)) 会被打开从而改变VEN 的电压比，实现上升和下降阈值分别自定义配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以计算得到指定VIN UVLO 阈值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置，其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 为自定义配置的输入启动电压和关闭电压值。江西AC高压220V降24V非隔离BUCK电源芯片定制
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