当过流或者过热故障发生时，芯片进入到自动重启和VDD振荡模式中。在此过程中高压MOSFET不允许导通，同时VDD电容上电压持续在4.87V和4.38V之间振荡。通过芯片内部数字计数器对振荡周期的计数，当振荡周期数超过511次时芯片退出保护模式并重新开始工作。如果故障解除，系统开始正常工作；否则系统再次进入振荡模式。为确保系统工作稳定，推荐KP311A系统工作于浅度CCM状态，即电感电流纹波ΔI接近于OCP峰值电流(210mA)。具体感量计算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：输出电压；Vf：续流二极管压降；Toff_min：IC设定内部**小Toff时间，约32us；ΔI：电感纹波电流，CCM条件下为2*(Iocp-Io_max)。举例来讲，参考5V-100mA输出规格，设定Io_max为额定输出电流的1.2倍，即120mA；芯片供电管脚，同时作为输出电压反馈端 (FB 悬空时)。典型应用 中 VDD 电容推荐采用 1uF 陶瓷电容。湖北AC高压220V降48V非隔离BUCK电源芯片库存
高性能、低成本离线式PWM控制开关KP3501A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型电路。KP3501A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，芯片内部**小Toff时间固定为20μs且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。KP3501A集成有完备的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。主要特点•高精度5V默认输出•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•集成采样电阻，**系统成本•支持**压输入(15V以上)应用•支持降压电路•开关式峰值电流模式控制•**待机功耗小于50Mw•比较高45kHz开关频率•**工作电流，支持小VDD电容•集成软启动电路•集成式保护功能:•过载保护(OLP)•过热保护(OTP)•逐周期电流限制(OCP)•异常过流保护(AOCP)•前沿消隐(LEB)•VDD欠压保护•封装类型SOP-4中国台湾AC高压降12V供电非隔离BUCK电源芯片定制我们提供可靠质量的非隔离BUCK电源降压芯片。
交流高压AC220降压12VDC电压电源芯片，KP1505X高性能、低成本离线式PWM控制功率开关KP1505X系列是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP1505X内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP1505X集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护和VDD过压保护等。
BUCK降压芯片，小封装输出5V100mA，低功耗、高效率、线路简单，在某些情况下(如重载或者输出短路等)，系统的电感电流峰值将上升过于剧烈。为避免电感峰值电流过大对系统元器件造成损坏，芯片内部设计有异常过流检测模块(AOCP，典型阈值为250mA)。当CS电压高于该阈值时，内部功率MOSFET即刻关断并保持关断状态持续2个周期。芯片内部集成的过热保护电路会检测芯片的芯片结温，当芯片结温超过155度(典型值)时系统进入到自动重启模式。内部功率MOSFET 漏极，当输入电压下降至充电窗口区间 时向后级提供能量。
PCB设计对芯片的稳定可靠工作至关重要，请遵循以下指南设计以获得比较好的电路工作性能：1.输入陶瓷电容尽可能靠近VIN和GND引脚放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走线应该尽可能短和宽以减小回路压降，提高转换效率。3.SW节点的电压波形为高频方波，适当减小SW节点的铺铜可以改善EMI性能，另一方面适当增大SW节点的铺铜可以优化散热性能，可根据实际情况适当折衷考虑。4.FB引脚的走线尽可能远离噪声源，比如SW节点和BST节点。5.输出电压VOUT的采样点靠近输出电容末端放置，且分压采样电阻靠近FB引脚放置。6.VIN和GND的走线和铺铜尽可能宽以帮助散热。在多层板的PCB设计中，推荐为GND引脚设置一个完整的GND层，并在GND层和芯片层间增加足够多的过孔。芯片静态工作电流典型值为 200uA。如此 低的工作电流降低了对于 VDD 电容大小的要求， 同时也可以提高系统效率。湖北低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片定制
支持使用MLCC 陶瓷电容，且支持低输出电容数量。湖北AC高压220V降48V非隔离BUCK电源芯片库存
另外为了优化芯片的 EMI 性能和保证芯片的可靠稳定运行，在使用陶瓷电容作为输入电容 CIN 外，推荐另外再添加一个 0.1μF 的陶瓷电容(0603/0402 封装) 尽可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引脚旁。需要注意的是，虽然陶瓷电容具有优良的高频性能和稳定的使用寿命，但是在某些输入电压热插拔的使用场景下，实际VIN 引脚上的电压可能会由于陶瓷电容的低ESR 特性出现振荡，**恶劣时甚至会振荡到2 倍的 VIN 电压，从而过压击穿芯片。此时，推荐在输入电压端额外并联加入一颗具有较大ESR 的电解电容或者在输入电压端添加一颗TVS 二极管以限制输入过压的情况。湖北AC高压220V降48V非隔离BUCK电源芯片库存
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