控制器基本参数
  • 产地
  • 上海
  • 品牌
  • 中和
  • 型号
  • 常规
  • 是否定制
控制器企业商机

D500/7D,D500/7DK.0814107压力控制器.本控制器膜片式传感器.用于空气等中性气体和液体介质。设定值调节范围0.005…0.06MPa。

□特点

控制灵敏度高。



1、不可调切换差的控制器设定值调整步骤。举例说明如下:

例:选用订货号为0814700的控制器,要求将压力上升至0.5MPa(上切换值)发出触点信号,其操作步骤参见1.1~1.5。(如图一所示)

1.1松开锁紧器,将产品旋入压力校验台的螺纹接口上,注意必须用扳手夹持传感器的平面部分,***防止开关壳体与传感器发生相对转动。

1.2打开盖板,将电缆穿过电缆接口接入端子板中,电缆另一头接上万用表。

1.3将压力加至0.5MPa,此值可以从标准压力计中读出。

1.4顺时针旋动设定值调节螺杆,使设定值由大变小,直至开关触点在0.5MPa处切换。

1.5旋紧锁紧器,调节压力校验台的压力,使压力在0.5MPa上下来回变化,

检验压力上升时,触点的切换值是否是0.5MPa,此值即为要设定的上切换值。其对应的下切换值应是0.5MPa减去切换差0.03MPa(左右),即为0.47MPa(左右)。 上海中和温度控制器询价。辽宁温度控制器厂家报价

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正压电效应是指:当晶体受到某固定方向外力的作用时,内部就产生电极化现象,同时在某两个表面上产生符号相反的电荷;当外力撤去后,晶体又恢复到不带电的状态;当外力作用方向改变时,电荷的极性也随之改变;晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。压电式传感器大多是利用正压电效应制成的。逆压电效应是指对晶体施加交变电场引起晶体机械变形的现象,又称电致伸缩效应。用逆压电效应制造的变送器可用于电声和超声工程。压电敏感元件的受力变形有厚度变形型、长度变形型、体积变形型、厚度切变型、平面切变型5种基本形式。压电晶体是各向异性的,并非所有晶体都能在这5种状态下产生压电效应。例如石英晶体就没有体积变形压电效应,但具有良好的厚度变形和长度变形压电效应。江西机械压力控制器出厂价上海中和D530/7DD差压控制器,防爆温度控制器。

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压力传感器类型  1、压阻式压力传感器电阻应变片是压阻式应变传感器的主要组成部分之一。金属电阻应变片的工作原理是吸附在基体材料上应变电阻随机械形变而产生阻值变化的现象,俗称为电阻应变效应。2、陶瓷压力传感器陶瓷压力传感器基于压阻效应,压力直接作用在陶瓷膜片的前表面,使膜片产生微小的形变,厚膜电阻印刷在陶瓷膜片的背面,连接成一个惠斯通电桥,由于压敏电阻的压阻效应,使电桥产生一个与压力成正比的高度线性、与激励电压也成正比的电压信号,标准的信号根据压力量程的不同标定为2.0/3.0/3.3mV/V等,可以和应变式传感器相兼容。

D541/7T防爆型温度控制器控制器采用带毛细管温包式传感器。可用于流动的中性气体和液体介质,假如介质为腐蚀性,安装时可选用不锈钢温包保护套套在铜质温包外(见附件)。控制器的设定值可调,调节范围-30

……280℃。

首要用于核电、化工、船只、冶金等行业。

D541/7T防爆温度控制器的附件

可供选用附件目录编号:0574757,(资料黄铜)

0574758(资料黄铜)0574755,0574772,0574759(资料不锈

1Cr18Ni9Ti),0574760(资料不锈钢1Cr18Ni9Ti带铜

锁紧螺钉) 上海中和自动化供应 D530/7DD防爆差压控制器。

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我们现用的压力传感器(PressureTransducer,PT)都是利用电容(或电阻)敏感元件将被测压力转换成与之成一定关系的电量输出的一类传感器。它一般采用圆形金属薄膜或镀金属薄膜作为电容器的一个电极,当薄膜感受压力而变形时,薄膜与固定电极之间形成的电容量发生变化,通过测量电路即可输出与电压成一定关系的电信号,从而获得所测气体压力的变化,达到测量压力的目的。压力传感器(PressureTransducer)是能感受压力信号,并能按照一定的规律将压力信号转换成可用的输出的电信号的器件或装置。压力传感器通常由压力敏感元件和信号处理单元组成。按不同的测试压力类型,压力传感器可分为表压传感器、差压传感器和绝压传感器。压力控制器是工业实践中较为常用的一种传感器,其广泛应用于各种工业自控环境。江苏控制器价格比较

压力控制器是工业过程测量与控制系统中控制压力的一种仪表。辽宁温度控制器厂家报价

大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要原料,以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变,而且也来自材料本身与应力相关的电阻,这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布,进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effective mass)的变化。在P型硅中,此现象变得更复杂,而且也导致等效质量改变及电洞转换。辽宁温度控制器厂家报价

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