4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。 5、过流保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从...
查看详细 >>DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源,但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性,使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容,这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题,进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法,为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感...
查看详细 >>BP5301C、BP6501、BP6901、STP01、STP02、STP03、STP04、STP05、STP06、STP07、XB3001A、XB3095I2S、XB3153IS、XB3153ISF、XB3301A、XB3301AJ、XB3302A、XB3303A、XB3303G、XB3306A、XB3306BR、XB3306D、XB3...
查看详细 >>如韵电子有限公司总部位于上海张江高新产业园嘉定园,并在香港设有研发中心,在深圳设有分公司。2004年创立以来,如韵电子一直采用 Fabless 运作模式 , 拥有强大的研发和销售团队,专注于模拟集成电路的设计、应用和销售,并始终处于技术创新的前沿。如韵产品的生产委托国内的晶圆代工厂、封装厂和测试工厂完成,产品全部实现国产化,并且符合ROH...
查看详细 >>成组的磷酸铁锂电池串联充电时,应保证每节电池均衡充电,否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。而现有的单节锂电池保护芯片均不含均衡充电控制功能,多节锂电池保护芯片均衡充电控制功能需要外接CPU;通过和保护芯片的串行通讯来实现,加大了保护电路的复杂程度和设计难度、降低了系统的效率和可靠性、增加了功耗。 磷酸铁锂电池还是需要保护板的,成组...
查看详细 >>如韵电子有限公司总部位于上海张江高新产业园嘉定园,并在香港设有研发中心,在深圳设有分公司。2004年创立以来,如韵电子一直采用 Fabless 运作模式 , 拥有强大的研发和销售团队,专注于模拟集成电路的设计、应用和销售,并始终处于技术创新的前沿。如韵产品的生产委托国内的晶圆代工厂、封装厂和测试工厂完成,产品全部实现国产化,并且符合ROH...
查看详细 >>解决方案概要 标称电压2.2~2.4V的锂二次电池和全固态电池具有以下特点,也适合于工业设备的备份用途、可穿戴设备及Smartcard等。 可使用LDO进行恒压充电可能。(无需的高价CV/CC充电IC) 耐过放电,可用于简单的放电检测 因为是电池,所以能长时间维持恒定电压 比起电压直线下降的Supercap,能更简单、有效地提取能量 也有...
查看详细 >>XA9107 是一款 1.0uA 电源电流和快速响应低压差稳压器,专为需要低静态电流、低压差电压和高电源纹波抑制的应用而设计。保证提供300mA的输出电流,并支持预设输出电压版本范围包括1.1V、1.2V、1.3V、1.5V、1.7V、1.8V、1.9V、2.0V、2.3V、2.5V、2.6V、2.7电压、2.8V、2.9V、3.0V、3...
查看详细 >>锂离子电池到1.5V干电池 5号电池到处都是,玩具、家用电器、门禁等等,给我们带来了便携性,但也给我们留下了很多麻烦: -在使用耗电的玩具时,应经常更换电池; -废电池处置过程中的潜在污染危害; -可充电镍金属氢化物等电池,充电速度慢。 广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑甚至特斯拉汽车的锂离子电池具有优异的性能。与传统的1.5V电池,锂...
查看详细 >>芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。提供的产品和方案包括:电源管理芯片、锂电池充电管理、锂电保护、DC转换器、MOS等;广泛应用消费电子:TWS耳机、移动电源、无线充、小家电、智能穿戴等产品、以及工业类电源方案。公司拥有完善的研发和技术支持团队和专业的销售服务团队,凭借专业、务实、创新的文化理念,人性化的管理...
查看详细 >>保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,磷酸铁锂电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电...
查看详细 >>高耐压线性充电管理与较少的外部元件数目使得XC3071 XC3101成为便携式应用的理想选择。 可以适合USB电源和适配器电源工作。由于采用了内部PMOSFET架构,加上防倒充电路,所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行调节,以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电电压固定4.2V,而充电电流可通过...
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